【摘要】 本发明为一种二硫化钴的合成方法，步骤如下：取一定量的金属钴粉置于一个一端封闭、中部弯曲的石英管中；在石英管另一端装入一个事先压紧硫磺粉末的且一端封闭的小石英管，所述硫磺用量为理论用量的1-1.5倍；将上述石英管高温真空封闭，然后将该石英管置于管式扩散炉中，金属钴粉端在450~700℃，硫磺端在200~440℃条件下热处理5~50小时；冷却至室温后粉碎至200目，得钴硫化合物粗制品；将初步所得到的钴硫化物粗制品，置于一根新的一端封闭、中部弯曲的石英管中，重复上述步骤, 冷却至室温，即得到二硫化钴。经过二次硫化处理得到的二硫化钴纯度大于99%。本发明方法相对于现有技术更安全、环保、快速，并可以较大量并安全地制备二硫化钴，降低生产成本。 【专利类型】发明申请 【申请人】桂林电子科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】541004 广西壮族自治区桂林市金鸡路1号 【申请人地区】中国 【申请人城市】桂林市 【申请人区县】七星区 【申请号】CN201010617093.4 【申请日】2010-12-31 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102020320A 【公开公告日】2011-04-20 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102020320B 【授权公告日】2012-08-01 【授权公告年份】2012.0 【发明人】刘心宇; 黄思玉 【主权项内容】一种二硫化钴的合成方法，包括如下步骤：(1)取一定量的金属钴粉置于一个一端封闭、中部弯曲的石英管的封闭端；(2) 在石英管另一端装入一个事先压紧硫磺粉末的且一端封闭的小石英管，所述硫磺用量为理论用量的1‑1.5倍；(3)将上述石英管真空高温封闭，然后将该石英管置于管式扩散炉中，金属钴粉端在450~700℃，硫磺端在200~440℃条件下热处理5~50小时；冷却至室温后粉碎至200目，得到钴硫化合物粗制品；(4)重复步骤(1)‑(3)，但用步骤(3)所得粗制品代替步骤(1)的金属钴粉，钴硫化合物粗制品端在450~700℃，硫磺端在200~440℃条件下热处理5~50小时，冷却至室温，即得到二硫化钴, 纯度大于99%。 【当前权利人】桂林电子科技大学 【当前专利权人地址】广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】1245000049867145XC 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE

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