【摘要】 本发明公开了一种制备低放射性辐射赤泥陶瓷材料的方法。(1)原料的质量百分比为：赤泥28～70％，红砂岩28～70％，钡的化合物或毒重石1～20％，助熔剂1～10％；助熔剂为氟化钙、氧化铝、氧化镁、氧化钙和二氧化硅中的一种或多种；(2)将步骤(1)原料放入球磨装置中球磨混料12～48小时；(3)将步骤(2)所得料在60℃～120℃温度下烘干6～24小时；(4)将步骤(3)所得料采用压制成型或可塑成型，制得坯体；(5)将步骤(4)所得坯体在900℃～1300℃烧结1～5小时，冷却到室温制得成品。本发明原料广泛，成本极低，可降低赤泥放射性辐射剂量30～45％，达到天然放射性本底水平。 【专利类型】发明申请 【申请人】桂林理工大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号桂林理工大学 【申请人地区】中国 【申请人城市】桂林市 【申请人区县】七星区 【申请号】CN201010503084.2 【申请日】2010-10-10 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102060513A 【公开公告日】2011-05-18 【公开公告年份】2011 【发明人】覃烁; 吴伯麟; 彭仙 【主权项内容】一种制备低放射性辐射赤泥陶瓷材料的方法，其特征在于具体步骤为：(1)原料的质量百分比为：赤泥28～70％，红砂岩28～70％，钡的化合物或毒重石1～20％，助熔剂1～10％；助熔剂为氟化钙、氧化铝、氧化镁、氧化钙和二氧化硅中的一种或多种。(2)将步骤(1)原料放入球磨装置中球磨混料12～48小时；(3)将步骤(2)所得料在60℃～120℃温度下烘干6～24小时；(4)将步骤(3)所得料采用压制成型或可塑成型，制得坯体；(5)将步骤(4)所得坯体在900℃～1300℃烧结1～5小时，冷却到室温制得赤泥陶瓷材料；所述赤泥为拜耳法赤泥、烧结法赤泥和联合法赤泥中的一种；所述钡的化合物为钡的质量百分含量大于50％的钡的化合物。 【当前权利人】桂林理工大学 【当前专利权人地址】广西壮族自治区桂林市建干路12号桂林理工大学 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12450000498671388Q 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1

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