【摘要】 本发明提供了一种高功率低电压非晶硅薄膜太阳能电池及其制造方法。该方法包括步骤：激光刻划前电极层P1；激光刻划硅基薄膜层P2；激光刻划背电极层P3，其特征在于：所述激光刻划前电极层P1、硅基薄膜层P2和背电极层P3分别形成第一沟道、第二沟道和第三沟道；所述前电极层、硅基薄膜层和背电极层具有数个子电池区域；相邻的子电池区域之间具有共用区域电极。本发明所批露的方法可以制造高功率、低电压的太阳能电池。 【专利类型】发明申请 【申请人】深圳市创益科技发展有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518029 广东省深圳市福田区八卦三路光纤小区二栋五楼东座、八楼东座 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】福田区 【申请号】CN201010502031.9 【申请日】2010-09-30 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102082198A 【公开公告日】2011-06-01 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102082198B 【授权公告日】2012-11-21 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L31/18; H01L31/042; H01L31/0224; H01L31/0445 【发明人】李毅; 郭权发; 李全相 【主权项内容】一种高功率低电压硅基薄膜太阳能电池的制造方法，包括：激光刻划前电极层P1；激光刻划硅基薄膜层P2；激光刻划背电极层P3，其特征在于：所述激光刻划前电极层P1、硅基薄膜层P2和背电极层P3分别形成第一沟道、第二沟道和第三沟道；所述前电极层、硅基薄膜层和背电极层具有数个子电池区域；相邻的子电池区域之间具有共用区域电极。 【当前权利人】深圳市创益科技发展有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市福田区八卦三路光纤小区二栋五楼东座、八楼东座 【专利权人类型】港、澳、台 【统一社会信用代码】91440300618868995Y 【引证次数】7.0 【被引证次数】24 【自引次数】1.0 【他引次数】6.0 【被自引次数】4.0 【被他引次数】20.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】24

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