【摘要】 像素结构及双栅极像素结构；一种像素结构，其包括基板、第一金属层、栅绝缘层、半导体层、第二金属层、保护层、孔洞以及像素电极。第一金属配置于基板上。第一金属层包括扫描线、栅极与共享电极。共享电极具有一预设缺口。栅绝缘层覆盖第一金属层。半导体层配置于栅绝缘层上。第二金属层配置于半导体层上，且第二金属层下方皆有半导体层。保护层覆盖第二金属层。孔洞位于预设缺口内并贯穿保护层而暴露出第二金属层。像素电极配置于保护层上并填入孔洞内。像素电极透过孔洞与第二金属层电性连接。一种双栅极像素结构亦被提出。 【专利类型】发明申请 【申请人】华映视讯(吴江)有限公司; 中华映管股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215217 江苏省苏州市吴江经济开发区同里分区江兴东路88号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】吴江区 【申请号】CN201010559062.8 【申请日】2010-11-25 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102130136A 【公开公告日】2011-07-20 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102130136B 【授权公告日】2013-04-10 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01L27/12; H01L21/77; G02F1/1362; G02F1/1368 【发明人】林柏辛; 吴纪良 【主权项内容】一种像素结构，其特征在于，包括：一基板；一第一金属层，配置于该基板上，其中该第一金属层包括：一扫描线；一栅极，电性连接该扫描线；一共享电极，与该扫描线分离并具有一预设缺口，其中该预设缺口位于该共享电极的边缘上；一栅绝缘层，配置于该基板上并覆盖该第一金属层；一半导体层，配置于该栅绝缘层上；一第二金属层，配置于该半导体层上，且该第二金属层下方皆有该半导体层，其中该第二金属层包括：一数据线，与该扫描线交错；一源极，电性连接该数据线；一漏极；一储存电极，位于该预设缺口的上方；一保护层，配置于该基板上并覆盖该第二金属层，且该保护层具有一开口以暴露出该漏极；一孔洞，位于该预设缺口内并贯穿该保护层而暴露出该第二金属层；以及一像素电极，配置于该保护层上并填入该孔洞内，其中该像素电极透过该开口与该漏极电性连接，并透过该孔洞与该第二金属层电性连接。 【当前权利人】苏州盛泽科技创业园发展有限公司 【专利权人类型】有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】91320509726641771C 【引证次数】6.0 【被引证次数】4 【自引次数】1.0 【他引次数】5.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】4

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