【摘要】 一种金属-半导体电极结构，包括半导体层和金属电极，在半导体层和金属电极之间进一步设置一石墨烯层，以降低金属电极与半导体层之间的接触电阻。本发明的优点在于，通过在金属和半导体层之间插入石墨烯层，改善了金半接触的能带状态，可广泛适用于不同功函数的金属和不同掺杂类型及掺杂浓度的半导体，降低了接触势垒，从而起到降低接触电阻的作用。本发明提供的方法制备简单，性能稳定，重复性好，成本低廉，对于实现各种高性能低成本的微纳半导体电子器件具有重要作用。 【专利类型】发明申请 【申请人】苏州纳维科技有限公司; 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 【申请人类型】企业,科研单位 【申请人地址】215125 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】吴中区 【申请号】CN201010574581.1 【申请日】2010-12-06 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102064189A 【公开公告日】2011-05-18 【公开公告年份】2011 【发明人】钟海舰; 刘争晖; 徐耿钊; 蔡德敏; 张学敏; 刘立伟; 樊英民; 王建峰 【主权项内容】一种金属‑半导体电极结构，包括半导体层和金属电极，其特征在于，在半导体层和金属电极之间进一步设置一石墨烯层，以降低金属电极与半导体层之间的接触电阻。 【当前权利人】苏州纳维科技有限公司; 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 【当前专利权人地址】江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号; 江苏省苏州市工业园区若水路398号 【专利权人类型】有限责任公司; 【统一社会信用代码】913205946617787769; 12100000717826387T 【被引证次数】38 【被他引次数】33.0 【家族被引证次数】38

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