【摘要】 本发明公开了一种新型高效三结硅薄膜太阳电池，包括非晶硅顶电池、微晶硅中间电池、微晶硅锗底电池三结电池结构，且所述电池的结构均为P/I/N型；所述非晶硅顶电池的上部设置有透明导电玻璃衬底；所述微晶硅锗底电池的下部依次设置有透明导电薄膜和金属层；本发明利用一种窄带隙可调(1.1eV-0.66eV)的低缺陷微晶硅锗薄膜，制备吸收系数高、光谱响应范围宽的微晶硅锗底电池，可大幅度增加对长波长太阳光的吸收，拓展太阳电池的光谱响应范围，更充分地提高太阳电池的吸收效率和光电转换效率，同时，降低了电池厚度，成为解决当前硅薄膜电池效率低，稳定性差等问题的重要途径，对引领本产业的发展，对本产业科技推动以及社会经济效益有着非常重要的意义。 【专利类型】发明申请 【申请人】江苏百世德太阳能高科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215104 江苏省苏州市吴中区吴中大道1368号综合楼6楼江苏百世德太阳能高科技有限公司 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】吴中区 【申请号】CN201010148323.7 【申请日】2010-04-16 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102222708A 【公开公告日】2011-10-19 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H01L31/042; H01L31/028; H01L31/046 【发明人】孙福河; 罗培青; 章昌台; 高石崇; 郑加镇; 訾威 【主权项内容】一种新型高效三结硅薄膜太阳电池，其特征在于：包括非晶硅顶电池、微晶硅中间电池、微晶硅锗底电池三结电池结构，且所述电池的结构均为P/I/N型；所述非晶硅顶电池的上部设置有透明导电玻璃衬底；所述微晶硅锗底电池的下部依次设置有透明导电薄膜和金属层；所述透明导电玻璃衬底为SnO2或ZnO；所述透明导电薄膜为ZnO；所述金属层为Al或Ag。。 【当前权利人】江苏百世德太阳能高科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市吴中区吴中大道1368号综合楼6楼江苏百世德太阳能高科技有限公司 【专利权人类型】外商投资企业 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2

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