【摘要】１．产品的名称：包装袋(１８)。２．产品的用途：包装豆腐，用于储存和运输。３．设计要点：在于产品的图案与形状的结合。４．请求保护的外观设计包含色彩。５．主视图最能完整体现本外观设计的设计要点。６．平面产品，省略其它视图。【专利类型】
【摘要】 本发明公开了一种单元栅蚀刻方法，属于半导体制造技术领域。所述方法，包括：步骤(1)：控制单元栅上多晶硅1结构与多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的高度同步，同时蚀刻所述多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的多晶硅1层和所述多晶硅1结构；步骤(2)：同时蚀刻所述多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的氧化硅-氮化硅-氧化硅层和所述多晶硅1结构；步骤(3)：同时蚀刻所述多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的多晶硅0层和所述多晶硅1结构。本发明的方法能够避免多晶硅残留，避免形成多晶硅桥，提高产品良率。 ： 【专利类型】发明申请 【申请人】和舰科技(苏州)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215025 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】吴中区 【申请号】CN201010002835.2 【申请日】2010-01-18 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102129974A 【公开公告日】2011-07-20 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H01L21/28; H01L21/8247; H01L27/11568 【发明人】陶志波; 陈伏宏 【主权项内容】1.一种单元栅蚀刻方法，其特征在于，包括：步骤(1)：控制单元栅上多晶硅1结构与多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的高度同步，同时蚀刻所述多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的多晶硅1层和所述多晶硅1结构；步骤(2)：同时蚀刻所述多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的氧化硅-氮化硅-氧化硅层和所述多晶硅1结构；步骤(3)：同时蚀刻所述多晶硅1+氧化硅-氮化硅-氧化硅+多晶硅0结构的多晶硅0层和所述多晶硅1结构。 ： 【当前权利人】和舰科技(苏州)有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号 【专利权人类型】有限责任公司(中外合资) 【统一社会信用代码】91320594732513557J
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