【摘要】 本实用新型涉及一种可解决电荷分配和电流失配问题的电荷泵。设有：电荷泵核心电路，包括由第六PMOS管、第七PMOS管和第八NMOS管、第九NMOS管组成的差分电荷泵输入结构、第一PMOS管、第一NMOS管以及运算放大器；电流复制反馈电路，第三NMOS管的栅极与运算放大器的正输入端连接，第三PMOS管的源、栅极分别与第一PMOS管、第二PMOS管的源、栅极连接，第五NMOS管的删、源极分别与第一NMOS管、第二NMOS管的删、源极端连接，第四NMOS管的栅极连接于第五PMOS管的漏极，所述第三PMOS管及第四PMOS管的漏、栅极都短接；以及删、源极与第一NMOS管的删、源极相连接的第七NMOS管。本实用新型不仅不会在VCTRL上产生波纹抖动，还可以实现完美的充放电电流匹配，并且结构简单，操作方便。 【专利类型】实用新型 【申请人】苏州科山微电子科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215021 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园2期A404 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】吴中区 【申请号】CN201020277396.1 【申请日】2010-07-30 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201754557U 【公开公告日】2011-03-02 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201754557U 【授权公告日】2011-03-02 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H02M3/07; H02M1/14 【发明人】梅海涛; 孙礼中 【主权项内容】一种可解决电荷分配和电流失配问题的电荷泵，其特征是：所述电荷泵设有：电荷泵核心电路，包括由第六PMOS管(14)、第七PMOS管(15)和第八NMOS管(16)、第九NMOS管(17)组成的差分电荷泵输入结构，所述第六PMOS管(14)、第七PMOS管(15)的源极与第一PMOS管(1)的漏极相连，所述第八NMOS管(16)、第九NMOS管(17)的源极与第一NMOS管(7)的漏极相连，第六PMOS管(14)、第八NMOS管(16)的漏极连接于运算放大器(6)的正输入端上，其运算放大器(6)的负输入端和输出端短接并与第七PMOS管(15)、第九NMOS管(17)的漏极连接；电流复制反馈电路，其第三NMOS管(9)的栅极与运算放大器(6)的正输入端连接，第三PMOS管(3)的源、栅极分别与第一PMOS管(1)、第二PMOS管(2)的源、栅极连接，第五NMOS管(11)的删、源极分别与第一NMOS管(7)、第二NMOS管(8)的删、源极端连接，第四NMOS管(10)的栅极连接于第PMOS管(5)的漏极，所述第三PMOS管(3)及第四PMOS(4)管的漏、栅极都短接，并且第四PMOS管(4)的源极和第六NMOS管(12)的栅极接电源；以及删、源极与第一NMOS管(7)的删、源极相连接的第七NMOS管(13)，所述第七NMOS管(13)的漏、栅极接外部电流源。 【当前权利人】苏州科山微电子科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园2期A404 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】913205946696348498 【被引证次数】2 【被自引次数】1.0 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】2

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