【摘要】本外观设计为弯角(2)。本外观设计主要用于线槽在平面转弯处使用。本外观设计的设计要点是：零件弯曲处为半圆形，一侧设为凹槽，凹槽内的两端设有圆孔。主视图最能表达其设计要点。【专利类型】外观设计【申请人】苏州新大诚科技发展股份有限公司【
【摘要】 本实用新型揭示了一种红外探测器的读出电路，其包括含至少一个运算放大器的CTIA结构积分单元，所述运算放大器为MOS器件，其特征在于：所述积分单元内含的运算放大器为工作在亚阀值区——MOS器件的栅源电压绝对值小于MOS器件的阈值电压绝对值。且在积分单元之前，设有暗电流抑制电路和测试电路；在积分单元之后，设有一个输出缓冲器。本实用新型的电路技术方案较之于现有技术，由于积分单元的内部运放工作于亚阈值区，能极大降低整个红外读出电路系统的功耗；此外，整个单元电路版图控制在一个很小的值，以利于采用倒装焊技术与红外探测器互连，而且采用输出缓冲器驱动线寄生电容，相比源极跟随器，提高了信号的线性度。 【专利类型】实用新型 【申请人】中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】215125 江苏省苏州市工业园区若水路398号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】吴中区 【申请号】CN201020158565.X 【申请日】2010-04-02 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201780166U 【公开公告日】2011-03-30 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201780166U 【授权公告日】2011-03-30 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G01J5/24 【发明人】谢保健; 马文龙; 张耀辉 【主权项内容】一种红外探测器的读出电路，其包括含至少一个运算放大器的积分单元，所述积分单元为CTIA结构，所述运算放大器为MOS器件，其特征在于：所述积分单元内含的运算放大器为工作在亚阀值区——MOS器件的栅源电压绝对值小于MOS器件的阈值电压绝对值。 【当前权利人】中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 【当前专利权人地址】江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号 【统一社会信用代码】12100000717826387T 【被引证次数】7 【被他引次数】7.0 【家族被引证次数】7
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