【摘要】 本实用新型涉及一种输入和参考电压幅度为轨至轨的CMOS比较器，属于模数/数模转换器应用领域。一种输入和参考电压幅度为轨至轨的CMOS比较器，由NMOS型比较器和PMOS型比较器组成，所述NMOS型比较器中的NMOS差分对：第一NMOS管和第二NMOS管的栅极与PMOS型比较器中的PMOS差分对：第一PMOS管和第二PMOS管的栅极连接，所述NMOS型比较器的输出放大级上的第三PMOS管的漏极、源极与设置于PMOS型比较器输出放大级上的第三NMOS管的漏极、第四PMOS管的源极相连，所述NMOS型比较器的输出放大级上的第四NMOS管的漏极与第四PMOS管的漏极相连。通过本实用新型无论输入和参考电压在任何区间内变化，比较器都能输出正确的结果。 【专利类型】实用新型 【申请人】苏州科山微电子科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】215021 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园2期A404 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请人区县】吴中区 【申请号】CN201020277353.3 【申请日】2010-07-30 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201781465U 【公开公告日】2011-03-30 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201781465U 【授权公告日】2011-03-30 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H03K5/22; H03F3/45 【发明人】梅海涛; 孙礼中 【主权项内容】一种输入和参考电压幅度为轨至轨的CMOS比较器，其特征是：所述输入和参考电压幅度为轨至轨的CMOS比较器由NMOS型比较器和PMOS型比较器组成，所述NMOS型比较器中的NMOS差分对：第一NMOS管(1)和第二NMOS管(2)的栅极与PMOS型比较器中的PMOS差分对：第一PMOS管(9)和第PMOS管(10)的栅极连接，所述NMOS型比较器的输出放大级上的第三PMOS管(11)的漏极、源极与设置于PMOS型比较器输出放大级上的第三NMOS管(3)的漏极、第四PMOS管(12)的源极相连，所述NMOS型比较器的输出放大级上的第四NMOS管(4)的漏极与第四PMOS管(12)的漏极相连。 （，） 【当前权利人】苏州科山微电子科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园2期A404 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】913205946696348498 【被引证次数】2 【被自引次数】2.0 【家族被引证次数】2

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