【摘要】 本发明公开一种微型电场传感器的互补金属氧化物半导体可控增益前置放大方法及电路。方法是：在互补金属氧化物半导体上，利用工作在线性区的长沟道晶体管实现反馈电阻，通过调节偏置电流，实现增益的控制来扩大电流信号的输入动态范围，对电流电压转换后的两路差分信号放大。电路包括：电流转换单元、电压放大单元。利用本发明可将微型电场传感器的信号读出电路微型化，并与传感器封装在同一基片上，甚至实现单片集成，大幅度的降低整个传感器系统的体积，重量以及功耗，提高传感器系统的可靠性，本发明具有微型化、低功耗、低成本以及高性能、智能化的优势。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院电子学研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100190 北京市海淀区北四环西路19号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200610056564.2 【申请日】2006-08-11 【申请年份】2006 【公开公告号】CN106508091B 【公开公告日】2011-06-01 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN106508091B 【授权公告日】2011-06-01 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H03F3/18; H03G3/30 【发明人】杨海钢; 崔国平 【主权项内容】1.一种互补金属氧化物半导体可控增益前置放大方法，其特征如下：在互补金属氧化物半导体上，利用工作在线性区的长沟道晶体管实现反馈电阻，通过调节偏置电流，实现增益的控制来扩大电流信号的输入动态范围，对电流转换后的两路差分电压信号放大。 【当前权利人】中国科学院电子学研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区北四环西路19号 【统一社会信用代码】12100000400012406C 【被引证次数】4 【被他引次数】4.0 【家族被引证次数】4

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