【摘要】 本发明高Mn含量(In，Mn)As纳米点的制备方法，完成分子束外延设备/系统的各项生长准备程序，在生长腔中外延生长GaAs(001)高温缓冲层，以提高异质生长的界面质量；然后降温至设定生长温度，生长InAs浸润层，随后在该生长温度采用间歇式沉积的方法生长In1-xMnxAs纳米点，0.23≤x≤0.56；沉积结束后将衬底温度降温，将样品连同样品台自缓冲腔和进出腔取出，并从样品台上取下。本发明采用间隙式生长方式，得到的高Mn含量(In，Mn)As纳米点外延生长于GaAs(001)单晶表面，保持GaAs(001)单晶的闪锌矿结构，而其中Mn替代In的浓度高达23-56％。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡南理工科技发展有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214192 江苏省无锡市锡山经济开发区科创园 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】锡山区 【申请号】CN201010565053.X 【申请日】2010-11-30 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102080257A 【公开公告日】2011-06-01 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】C30B25/18; C30B29/10; C30B29/42; C30B29/40; B82Y40/00 【发明人】徐锋; 陈光; 杜宇雷; 李永胜 【主权项内容】1.一种高Mn含量(In，Mn)As纳米点的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)完成分子束外延设备/系统的各项生长准备程序：确认系统中安装有In、Mn、Ga、As源；在超净间将GaAs(001)单晶衬底切割并用In粘附于样品台上；在进出腔中对于衬底及样品台进行去水气烘烤，在缓冲腔中对于衬底及样品台进行去有机杂质的烘烤；用液氮冷却生长腔，以提高背景真空度；(2)在生长腔中外延生长GaAs(001)高温缓冲层，以提高异质生长的界面质量；然后降温至设定生长温度，生长InAs浸润层，随后在该生长温度采用间歇式沉积的方法生长In1-xMnxAs纳米点，0.23≤x≤0.56；(3)沉积结束后将衬底温度降温，将样品连同样品台自缓冲腔和进出腔取出，并从样品台上取下。 【当前权利人】无锡南理工科技发展有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市锡山经济开发区科创园 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】9132020569785681XK 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0

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