【摘要】 一种金属硅化物的清洗方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括硅表面区及介电层表面区，所述硅表面区上自下而上依次形成有金属硅化物、金属层及保护层，所述介电层表面区上依次形成有介电层、金属层及保护层；采用酸性氧化溶液对所述半导体衬底进行清洗；采用碱性氧化溶液对所述半导体衬底进行清洗。本发明的金属硅化物的清洗方法在酸性氧化溶液清洗后，采用碱性氧化溶液对半导体衬底进行清洗，有效去除了酸性氧化溶液清洗过程中粘附在衬底表面的杂质颗粒，提高了半导体衬底的表面洁净度。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010208050.0 【申请日】2010-06-21 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102290325A 【公开公告日】2011-12-21 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H01L21/00; B08B3/08 【发明人】杨兆宇; 孟昭生; 李健 【主权项内容】一种金属硅化物的清洗方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括硅表面区及介电层表面区，所述硅表面区上自下而上依次形成有金属硅化物、金属层及保护层，所述介电层表面区上依次形成有介电层、金属层及保护层；采用酸性氧化溶液对所述半导体衬底进行清洗；采用碱性氧化溶液对所述半导体衬底进行清洗。 【当前权利人】无锡华润上华半导体有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号; 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资); 有限责任公司(港澳台法人独资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J; 91320214739444443B 【引证次数】6.0 【被引证次数】9 【他引次数】6.0 【被他引次数】9.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】9

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1782276795.html