【摘要】 本发明涉及一种MTM反熔丝单元结构及其制备方法，其包括衬底及位于衬底上的绝缘支撑层；所述绝缘支撑层上设有金属互连层、反熔丝下极板及氧化层；所述氧化层包覆金属互连层与反熔丝下极板，所述反熔丝下极板与金属互连层间利用氧化层相隔离；所述金属互连层上设有连接孔，所述连接孔从氧化层的表面延伸到金属互连层，连接孔内填充有金属电极；反熔丝下极板上设有反熔丝孔，所述反熔丝孔从氧化层的表面延伸到反熔丝孔；所述反熔丝孔内依次填充有高阻介质层、反熔丝上极板及金属电极；所述金属电极与反熔丝上极板、金属互连层均电性连接。本发明工艺操作简单、可靠性高、兼容性好、抗辐射能力强。 【专利类型】发明授权 【申请人】无锡中微晶园电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010191134.8 【申请日】2010-06-04 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101887883B 【公开公告日】2011-12-07 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101887883B 【授权公告日】2011-12-07 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L23/525; H01L21/768 【发明人】洪根深; 肖志强; 陈海峰 【主权项内容】一种MTM反熔丝单元结构，包括衬底(100)及位于衬底(100)上的绝缘支撑层(101)；其特征是：所述绝缘支撑层(101)上设有金属互连层(109)、反熔丝下极板(110)及氧化层(104)；所述氧化层(104)包覆金属互连层(109)与反熔丝下极板(110)，所述反熔丝下极板(110)与金属互连层(109)间利用氧化层(104)相隔离；所述金属互连层(109)上设有连接孔(111)，所述连接孔(111)从氧化层(104)的表面延伸到金属互连层(109)，连接孔(111)内填充有金属电极(108)；反熔丝下极板(110)上设有反熔丝孔(112)，所述反熔丝孔(112)从氧化层(104)的表面延伸到反熔丝下极板(110)的表面；所述反熔丝孔(112)内依次填充有高阻介质层(106)、反熔丝上极板(107)及金属电极(108)；所述金属电极(108)与反熔丝上极板(107)、金属互连层(109)均电性连接；所述反熔丝下极板(110)包括AlSiCu膜层(102)与氮化钛膜层(103)；所述AlSiCu膜层(102)与氮化钛膜层(103)依次淀积在绝缘支撑层(101)上，形成反熔丝下极板(110)。 【当前权利人】无锡中微晶园电子有限公司; 中国电子科技集团公司第五十八研究所 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新吴区信息产业科技园A座二层203室; 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320214759698168Q 【引证次数】5.0 【被引证次数】9 【他引次数】5.0 【被他引次数】9.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】15

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