【摘要】 一种刻蚀设备和氮化硅的刻蚀方法，其中氮化硅的刻蚀方法包括：提供衬底，所述衬底表面依次形成有氧化硅层和氮化硅层；在所述氮化硅层表面形成光刻胶图形；以所述光刻胶图形为掩膜，刻蚀所述氮化硅直至暴露出氧化硅层，所述刻蚀工艺采用的腔室去除聚焦环，且所述腔室的覆盖环表面无锁孔。本发明能够避免在刻蚀工艺形成的聚合物掉落在刻蚀衬底上，还能够减低刻蚀腔室内的部件清洗次数；且刻蚀工艺选用刻蚀腔室的覆盖环表面无锁孔，避免等离子体透过锁孔造成电流导通，造成静电卡盘被等离子体打坏，从而影响工艺。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010118122.2 【申请日】2010-02-10 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102148151A 【公开公告日】2011-08-10 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H01L21/311; H01L21/00; H01L21/687 【发明人】赵金强; 周国平; 薛锋; 王惠芳 【主权项内容】一种刻蚀设备，其特征在于，包括：位于刻蚀腔体内的用于放置硅片的静电卡盘，所述静电卡盘具有肩部的台阶状圆台；设于静电卡盘上的覆盖环，所述覆盖环的内缘设置有承载部，所述承载部具有承载面，在所述覆盖环设于静电卡盘上时与静电卡盘的圆台面齐平。 【当前权利人】无锡华润上华半导体有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号; 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资); 有限责任公司(港澳台法人独资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J; 91320214739444443B 【引证次数】3.0 【被引证次数】2 【他引次数】3.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】2

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