【摘要】 一种提高电流密度的绝缘体上硅P型半导体组合器件，包括：N型衬底，在N型衬底上设埋氧层，在埋氧层上设N型外延层且N型外延层被分割成区域I和II，其中I区为绝缘栅双极型器件区，包括：P型漂移区、N型深阱、P型缓冲阱、N型漏区、P型源区和N型体接触区，在硅表面相应设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅；其中II区为高压三极管区，包括：P型三极管漂移区、P型三极管缓冲阱、N型发射区和P型基区，其特征在于II区中的P型基区包在P型缓冲区内部，且I区中N型漏区上的第一漏极金属与II区中P型基区上的第一基极金属通过第二金属连通。本实用新型在不增加器件面积基础上显著提升器件的电流密度且器件其他性能参数并不改变。 【专利类型】实用新型 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】214135 江苏省无锡市无锡新区菱湖大道99号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201020508089.X 【申请日】2010-08-27 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201845778U 【公开公告日】2011-05-25 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201845778U 【授权公告日】2011-05-25 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L27/12; H01L29/06; H01L21/76 【发明人】钱钦松; 孙虎; 孙伟锋; 苏展; 时龙兴 【主权项内容】一种提高电流密度的绝缘体上硅P型半导体组合器件，包括：N型衬底(1)，在N型衬底(1)上设有埋氧层(2)，其特征在于，在埋氧层(2)中央设有N型深阱(14)，在N型深阱(14)上设有N型体接触区(12)和P型源区(11)且在N型体接触区(12)和P型源区(11)上设有连通二者的源极金属(72)，在埋氧层(2)上还设有第一隔离区(101)和第二隔离区(102)，由所述的第一隔离区(101)和第二隔离区(102)向埋氧层(2)中心延伸并由此分割形成绝缘栅双极型器件区(I)和高压三极管区(II)，在绝缘栅双极型器件区(I)内设有绝缘栅双极型器件，所述的绝缘栅双极型器件中的源区采用所述的P型源区(11)且所述的P型源区(11)位于绝缘栅双极型器件区(I)内，在高压三极管区(II)内设有高压三极管，所述的高压三极管中的集电区采用所述的N型体接触区(12)，所述的N型体接触区(12)位于高压三极管区(II)内，所述的绝缘栅双极型器件中的第一漏极金属(74)通过第二金属(75)与所述的高压三极管中的第一基极金属(71)连接。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省无锡市无锡新区菱湖大道99号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【被引证次数】2 【被自引次数】2.0 【家族被引证次数】2

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