【摘要】 本发明涉及一种用于厚金属的光刻工艺，其包括如下步骤：a、在衬底上多次均匀淀积金属材料，使在衬底上形成金属层的厚度为3.9μm～4.1μm；b、在上述金属层上涂布光刻胶，并在所述光刻胶上刻蚀出多个标记窗口，露出标记窗口底部的金属层；c、对标记窗口底部的金属层进行金属腐蚀，露出被金属层遮挡的对位标记；d、去除金属层上的光刻胶；e、在上述金属层上再次涂布光刻胶，所述光刻胶涂布于露出对位标记外的金属层上；f、选择性地掩蔽和刻蚀所述光刻胶，利用上述露出的对位标记作为对位坐标，对金属层进行光刻，在金属层上得到所需的金属图形。本发明能降低表面粗糙度，降低表面晶粒对对位信号的干扰，对位精度高，安全可靠。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡中微晶园电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010589423.3 【申请日】2010-12-15 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102097303A 【公开公告日】2011-06-15 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102097303B 【授权公告日】2012-06-20 【授权公告年份】2012.0 【发明人】高向东; 张世权; 肖志强; 寇春梅 【主权项内容】一种用于厚金属的光刻工艺，其特征是，所述厚金属的光刻工艺包括如下步骤：(a)、在衬底上多次均匀淀积金属材料，使在衬底上形成金属层的厚度为3.9μm～4.1μm；(b)、在上述金属层上涂布光刻胶，选择性地掩蔽和刻蚀所述光刻胶，在所述光刻胶上刻蚀出多个标记窗口，露出标记窗口底部的金属层；(c)、对标记窗口底部的金属层进行金属腐蚀，去除标记窗口底部相对应的金属层，露出被金属层遮挡的对位标记；(d)、去除金属层上的光刻胶；(e)、在上述金属层上再次涂布光刻胶，所述光刻胶涂布于露出对位标记外的金属层上；(f)、选择性地掩蔽和刻蚀所述光刻胶，利用上述露出的对位标记作为对位坐标，对金属层进行光刻，在金属层上得到所需的金属图形。 【当前权利人】无锡中微晶园电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320214759698168Q 【被引证次数】6 【被自引次数】2.0 【被他引次数】4.0 【家族被引证次数】6

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