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一种磁敏VDMOS器件专利

时间:2026-06-23    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 本实用新型涉及一种磁敏VDMOS器件,包括VDMOS芯片和磁敏电阻,所述VDMOS芯片上设有绝缘介质,所述绝缘介质上设有磁敏电阻。本实用新型既可用外加磁场来控制VDMOS的通断,也可以利用VDMOS导通时产生的磁场来控制VDMOS的导通功率(电流),去除了外界干扰信号的影响及可高速驱动,不产生任何额外的电能消耗,节约了能源。当温度变化时,此磁敏电阻的阻值也发生变化,因而也可以作为功率VDMOS的温度采样。 【专利类型】实用新型 【申请人】王开 【申请人类型】个人 【申请人地址】214062 江苏省无锡市滨湖区蠡湖街道金色江南天景花园42号301室 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201020246052.4 【申请日】2010-07-01 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201732789U 【公开公告日】2011-02-02 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201732789U 【授权公告日】2011-02-02 【授权公告年份】2011.0 【发明人】王开 【主权项内容】一种磁敏VDMOS器件,包括VDMOS芯片和磁敏电阻,其特征在于,所述VDMOS芯片上设有绝缘介质,所述绝缘介质上设有磁敏电阻。 【当前权利人】王开 【当前专利权人地址】江苏省无锡市滨湖区蠡湖街道金色江南天景花园42号301室

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