【摘要】 本发明涉及一种硅片激光打标后的清洗工艺，其包括如下步骤：a、将激光打标后的硅片放置在所由HF溶液和水混合形成酸溶液中清洗；b、用去离子水对酸洗后的硅片进行循环冲洗；c、将硅片放入由NH4OH溶液、H2O2溶液和H2O组成的混合溶液清洗，硅片在所述混合溶液中清洗4～6分钟；d、用去离子水对上述酸混合溶液清洗后的硅片进行混合冲洗；e、将硅片再次放入酸溶液中清洗，硅片在所述酸溶液清洗0.5～1分钟；f、将上述再次酸洗后的硅片用去离子水溢流4～6分钟，然后使用去离子水循环冲洗；g、将硅片再次放入由NH4OH溶液、H2O2溶液和H2O组成的混合溶液，清洗4～6分钟；h、将硅片用去离子水循环冲洗。本发明工艺步骤简单，适用性广，操作方便，降低了清洗成本，安全可靠。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡中微晶园电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010589325.X 【申请日】2010-12-15 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102140645A 【公开公告日】2011-08-03 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102140645B 【授权公告日】2012-07-11 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】C23G1/02; C23G1/14; H01L21/02 【发明人】洪根深; 高向东; 郭晶磊; 陶军 【主权项内容】一种硅片激光打标后的清洗工艺，其特征是，所述清洗工艺包括如下步骤：(a)、将激光打标后的硅片放置在酸溶液中清洗，所述酸溶液由HF溶液和H2O混合形成；所述HF和H2O间的体积关系为：HF∶H2O＝1∶20～30，酸溶液的温度为21℃～22℃；所述HF溶液的浓度为50％～55％，硅片在所述酸溶液清洗2～3分钟；(b)、用去离子水对上述酸洗后的硅片进行循环冲洗；(c)、将硅片放入混合溶液中清洗，所述混合溶液由NH4OH溶液、H2O2溶液和H2O组成，所述NH4OH溶液、H2O2溶液和H2O间的体积关系为：NH4OH∶H2O2∶H2O＝1∶2∶12～15；NH4OH溶液的浓度为28％～30％，H2O2溶液的浓度为30％～32％，所述混合溶液的温度为65℃～75℃，硅片在所述混合溶液中清洗4～6分钟；(d)、用去离子水对上述酸混合溶液清洗后的硅片进行混合冲洗；(e)、将硅片再次放入酸溶液中清洗，所述酸溶液由HF溶液和水混合形成；所述HF和H2O间的体积关系为：HF∶H2O＝1∶20～30，酸溶液的温度为21℃～22℃；硅片在所述酸溶液清洗0.5～1分钟；(f)、将上述再次酸洗后的硅片用去离子水溢流4～6分钟，然后使用去离子水循环冲洗；(g)、将硅片再次放入混合溶液中清洗，所述混合溶液由NH4OH溶液、H2O2溶液和H2O组成，所述NH4OH溶液、H2O2溶液和H2O间的体积关系为：NH4OH∶H2O2∶H2O＝1∶2∶12～15；NH4OH溶液的浓度为28％～30％，H2O2溶液的浓度为30％～32％，所述混合溶液的温度为65℃～75℃，硅片在所述混合酸溶液中清洗4～6分钟；(h)、将上述清洗后的硅片用去离子水循环冲洗，得到清洗后的硅片。 【当前权利人】无锡中微晶园电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320214759698168Q 【引证次数】2.0 【被引证次数】6 【他引次数】2.0 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】6

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