【摘要】 本发明涉及一种厚多晶电阻的饱和掺杂工艺，其包括如下步骤：a、提供衬底，衬底上设置有相应氧化物结构；b、在上述衬底的氧化物结构上淀积多晶电阻材料，淀积多晶电阻材料时，根据所需多晶的厚度，将所述上述多晶电阻材料均分多次淀积；c、在上述衬底上形成所需厚度的多晶电阻后，在多晶电阻内进行含磷气体掺杂；d、去除上述多晶电阻上形成的PSG。本发明根据厚多晶电阻的厚度要求，采用多次均匀淀积的方式得到所需厚度的厚多晶电阻，可以减轻炉内副产物的堆积和对泵等硬件的损耗，提高生产稳定性，所有步骤都参照常规工艺，操作简单；多晶掺杂采用饱和掺杂使杂质在晶粒间和晶粒间隙同时扩散，并且分布均匀，片内片间及稳定性都达到生产要求。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡中微晶园电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010547290.3 【申请日】2010-11-16 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102097299A 【公开公告日】2011-06-15 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102097299B 【授权公告日】2012-11-07 【授权公告年份】2012.0 【发明人】高向东; 唐剑平; 张明; 吴晓鸫 【主权项内容】一种厚多晶电阻的饱和掺杂工艺，其特征是，所述厚多晶电阻的掺杂工艺包括如下步骤：(a)、提供衬底，所述衬底上设置有相应氧化物结构；(b)、在上述衬底的氧化物结构上淀积多晶电阻材料，淀积多晶电阻材料时，根据所需多晶的厚度，将所述上述多晶电阻材料均分多次淀积，使淀积后的多晶电阻材料达到所需的厚度；(c)、在上述衬底上形成所需厚度的多晶电阻后，在多晶电阻内进行含磷气体掺杂；(d)、去除上述多晶电阻上形成的PSG，得到所需的厚多晶电阻。 【当前权利人】无锡中微晶园电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320214759698168Q

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