【摘要】 一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底分为形成有熔丝结构的熔丝区和形成有焊垫的焊垫区，熔丝结构包括表层的第一抗刻蚀层，焊垫包括表层的第二抗刻蚀层；形成保护层；在保护层上形成光刻胶层并进行图形化，在光刻胶层中形成开口，所述开口暴露出部分焊垫位置的保护层、熔丝结构位置及其之外两侧部分的保护层；进行第一次刻蚀，直至熔丝区暴露出第一抗刻蚀层，同时焊垫区暴露出第二抗刻蚀层；进行第二次刻蚀，去除焊垫的表层的第二抗刻蚀层以及熔丝结构表层的第一抗刻蚀层。本发明采用单次光刻而后依次进行两次刻蚀的工艺，减少光刻次数。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010188028.4 【申请日】2010-05-26 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102263011A 【公开公告日】2011-11-30 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102263011B 【授权公告日】2013-04-17 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01L21/02; H01L21/60; H01L23/525; H01L23/485 【发明人】牛建礼; 赵金强; 周国平; 杨瑞 【主权项内容】一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底分为熔丝区和焊垫区，所述熔丝区形成有熔丝结构，所述焊垫区形成有焊垫，所述熔丝结构与焊垫间隔，所述熔丝结构包括表层的第一抗刻蚀层，所述焊垫包括表层的第二抗刻蚀层；形成保护层，所述保护层覆盖焊垫、熔丝结构及衬底；在保护层上形成光刻胶层并进行图形化，在所述光刻胶层中形成开口，所述开口暴露出部分焊垫位置的保护层、所述开口还暴露出熔丝结构位置及其之外两侧部分的保护层；进行第一次刻蚀，直至熔丝区暴露出第一抗刻蚀层，同时焊垫区暴露出第二抗刻蚀层；进行第二次刻蚀，去除焊垫的表层的第二抗刻蚀层以及熔丝结构表层的第一抗刻蚀层。。 【当前权利人】无锡华润上华科技有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号; 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资); 有限责任公司(港澳台法人独资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J; 91320214739444443B 【引证次数】3.0 【被引证次数】2 【他引次数】3.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】2

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