【摘要】本发明涉及一种超势垒半导体整流器件及其制造方法。其包括第一导电类型衬底及第一导电类型漂移区;在第一导电类型漂移区内采用沟槽式MOS管结构;沟槽的外侧设有接触孔;沟槽与接触孔的外壁侧上方均设有第一导电类型注入层;所述沟槽内壁上覆盖有绝
【摘要】 1.本外观设计产品的名称为:衣服(24)。2.本外观设计产品的用途为:穿着。3.本外观设计产品的设计要点在于:主视图。4.最能表明本外观设计要点的图片为:主视图。 【专利类型】外观设计 【申请人】徐茂根 【申请人类型】个人 【申请人地址】214121 江苏省无锡市太湖镇周新路11号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201030198664.6 【申请日】2010-06-08 【申请年份】2010 【公开公告号】CN301453890S 【公开公告日】2011-02-02 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN301453890S 【授权公告日】2011-02-02 【授权公告年份】2011.0 【发明人】徐茂根 【主权项内容】无 【当前权利人】徐茂根 【当前专利权人地址】江苏省无锡市太湖镇周新路11号
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