【摘要】 本发明涉及一种磁敏达林顿晶体管及其制造方法。其包括半导体基板，半导体基板包括衬底与外延层；第一导电类型外延层上部设有第一区域与第二区域；第一导电类型外延层上淀积有第一介质层；第一区域与第二区域内上方分别设有第一接触孔与第二接触孔；第一接触孔与第二接触孔内均淀积有互连金属层；互连金属层上淀积有第二介质层；第一区域内的第一导电类型发射区通过互连金属层与第二区域内的第二导电类型基区连接成等电位；第一区域上方设有第一连接孔；第二区域上方设有第二连接孔；第二连接孔内淀积有磁性层；所述磁性层通过互连金属层与第二区域内的第一导电类型发射区连接。本发明灵敏度高，工艺操作简单，使用方便，安全可靠。 【专利类型】发明授权 【申请人】无锡新硅微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市新区长江路21-1号创源大厦903 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201010193072.4 【申请日】2010-06-07 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101894852B 【公开公告日】2011-11-23 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101894852B 【授权公告日】2011-11-23 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L27/22; H01L21/822 【发明人】范建林; 王开; 史训男; 唐伟; 汪涛 【主权项内容】一种磁敏达林顿晶体管，在所述达林顿晶体管的截面上，包括第一导电类型的半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型衬底与第一导电类型的外延层，所述第一导电类型外延层邻接所述第一导电类型衬底；其特征是：在所述达林顿晶体管的截面上，所述第一导电类型外延层上部设有第一区域与第二区域；所述第一区域与第二区域均包括第二导电类型基区及位于所述第二导电类型基区上部的第一导电类型发射区；所述第一区域内的第二导电类型基区与第二区域内的第二导电类型基区利用第一导电类型外延层相隔离；所述第一导电类型外延层上淀积有第一介质层；所述第一区域与第二区域内对应的第二导电类型基区、第一导电类型发射区上方分别设有第一接触孔与第二接触孔；所述第一接触孔与第二接触孔内均淀积有互连金属层，所述互连金属层与对应的第二导电类型基区及第一导电类型发射区相接触；所述互连金属层上淀积有第二介质层；所述第二介质层将对应第一接触孔与第二接触孔内的互连金属层相隔离；所述第一区域内的第一导电类型发射区通过互连金属层与第二区域内的第二导电类型基区连接成等电位；所述第一区域内对应于第二导电类型基区上方设有第一连接孔；所述第二区域内对应于第一导电类型发射区上方设有第二连接孔，所述第二连接孔与第一连接孔均从第二介质层的表面延伸到互连金属层；所述第二连接孔内淀积有磁性层，所述磁性层填充在第二连接孔内，并覆盖在第二介质层上；所述磁性层通过互连金属层与第二区域内的第一导电类型发射区连接。 【当前权利人】泰州亚芯微电子科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省泰州市海陵区凤凰西路168号1幢306室 【专利权人类型】有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】91320214697911962B 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】2

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1781913735.html