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硅片的返工处理方法专利

时间:2026-06-20    作者:admin 点击: ( 2 ) 次

【摘要】 本发明实施例公开了一种硅片的返工处理方法,包括以下步骤:1、清除掉硅片上的SiNx薄膜;2、采用平板式PECVD装置对硅片重新进行SiNx薄膜沉淀;3、对SiNx薄膜沉淀完成后的硅片进行丝网印刷和烧结,然后进行电性能测试。本发明实施例提供的硅片的返工处理方法中,将不合格的硅片上的SiNx薄膜清除掉,采用平板式PECVD装置对硅片重新进行薄膜沉淀,由于采用平板式PECVD装置进行薄膜沉淀时,NH3产生的等离子体不会直接与硅片接触,在对洗掉SiNx的不合格片进行PECVD时可以保护硅片表面不受到等离子体的二次轰击,减少了对硅片表面的伤害,提高了硅片表面的质量,提高了硅片的质量。 【专利类型】发明申请 【申请人】江阴浚鑫科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214443 江苏省江阴市申港镇镇澄路1011号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201010571367.0 【申请日】2010-12-02 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102185015A 【公开公告日】2011-09-14 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H01L31/18; H01L21/306 【发明人】孙林杰; 孙伟; 钱明星; 麻晓园; 韩少鹏 【主权项内容】一种硅片的返工处理方法,其特征在于,包括以下步骤:1)、清除掉所述硅片上的SiNx薄膜;2)、采用平板式PECVD装置对所述硅片重新进行SiNx薄膜沉淀;3)、对SiNx薄膜沉淀完成后的硅片进行丝网印刷和烧结,然后进行电性能测试。 【当前权利人】江阴浚鑫科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省江阴市申港镇镇澄路1011号 【引证次数】3.0 【被引证次数】13 【他引次数】3.0 【被他引次数】13.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】13

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