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半导体芯片二重基区扩散结构专利

时间:2026-06-19    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 本实用新型涉及一种半导体芯片二重基区扩散结构,应用在集成电路或分立器件制造技术领域。它包括一种半导体芯片二重基区扩散结构,包括N型硅材料(3),在N型硅材料(3)的表面设置有P型基区(2),在P型基区(2)表面设置有P+基区(1)。本实用新型改变了传统基区工艺结构,将离子注入和乳胶源扩散两种不同掺杂方式的基区工艺结合在一起,使二者的特点有效结合,与发射区工艺达到最佳匹配,改善圆片参数一致性,全面提高圆片的产出率。 【专利类型】实用新型 【申请人】江阴新顺微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214431 江苏省江阴市滨江中路275号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201020250894.7 【申请日】2010-07-01 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201741699U 【公开公告日】2011-02-09 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201741699U 【授权公告日】2011-02-09 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/06; H01L29/73; H01L21/331; H01L21/265 【发明人】王新潮; 冯东明; 叶新民; 王文源; 俞韬 【主权项内容】一种半导体芯片二重基区扩散结构,包括N型硅材料(3),其特征在于:在N型硅材料(3)的表面设置有P型基区(2),在P型基区(2)表面设置有P+基区(1)。 【当前权利人】江阴新顺微电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省江阴市滨江中路275号 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2

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