【摘要】本实用新型涉及一种农村配电变压器运行监控装置，包含有CPU电路(1)、GSMGPRS模块(2)、双鉴传感器(3)、摄像电路(4)、外部传感器(5)和内部传感器(6)，所述GSMGPRS模块(2)与CPU电路(1)的通讯端口相连，所述
【摘要】 本发明提供了一种多晶硅太阳电池减反射膜制备方法和一种多晶硅太阳电池，所述方法包括：钝化层淀积步骤和密度层淀积步骤。所述多晶硅太阳电池包括：多晶硅片；位于多晶硅片表面上的减反射膜；所述减反射膜的材质为氮化硅，包括钝化层和密度层；所述钝化层设置在所述多晶硅片表面上，所述密度层设置在所述钝化层表面上。本发明提供的技术方案中，减反射膜中的钝化层能够有效的钝化硅片表面和基体，并减少多晶硅材料表面中的位错和晶界等缺陷，提高多晶硅材料载流子寿命，形成的减反射膜能够有效提高多晶硅太阳电池的光电转换效率，增大电池片的最大功率。 【专利类型】发明申请 【申请人】江阴浚鑫科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214443 江苏省江阴市申港镇镇澄路1011号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201010540952.4 【申请日】2010-11-11 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102185006A 【公开公告日】2011-09-14 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H01L31/18; H01L31/0216; H01L31/04; C23C16/34 【发明人】钱明星; 郭建东; 樊选东; 罗军; 赵静 【主权项内容】一种多晶硅太阳电池减反射膜制备方法，其特征在于，在将多晶硅片放入淀积腔中之后，包括：钝化层淀积步骤，用于在多晶硅片表面上形成钝化层，具体为：向淀积腔中通入流量为6000～9000SCCM的氨气和流量为800～1000SCCM的硅烷，射频功率为3000～5000W，占空比为5∶50，压强为1500～2000mtor，持续时间为100～300S；密度层淀积步骤，用于在钝化层表面上形成密度层，具体为：向淀积腔中通入流量为7000～9000SCCM的氨气和流量为400～900SCCM的硅烷，射频功率为4500～6500W，占空比为5∶50，压强为1500～2000mtor，持续时间为400～600S。 【当前权利人】江阴浚鑫科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省江阴市申港镇镇澄路1011号 【引证次数】5.0 【被引证次数】17 【他引次数】5.0 【被他引次数】17.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】17
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