【摘要】 本实用新型提供了一种压阻传感器芯片。其生产方便、成本低，且成品率高、精确度高。其包括压力膜层、基底、力敏电阻、金属引线，所述力敏电阻、金属引线安装于所述压力膜层的上表面，所述基底装于所述压力膜层的下表面，其特征在于：所述基底具体为衬底硅，所述压力膜层包括底层的多晶硅膜、上层的氧化层，所述底层的多晶硅膜下表面装于所述衬底硅的上表面。 【专利类型】实用新型 【申请人】无锡市纳微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市新区长江路7号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201020166949.6 【申请日】2010-04-22 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201716135U 【公开公告日】2011-01-19 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201716135U 【授权公告日】2011-01-19 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G01L1/18 【发明人】沈绍群; 王树娟; 周刚; 陈会林 【主权项内容】一种压阻传感器芯片，其包括压力膜层、基底、力敏电阻、金属引线，所述力敏电阻、金属引线安装于所述压力膜层的上表面，所述基底装于所述压力膜层的下表面，其特征在于：所述基底具体为衬底硅，所述压力膜层包括底层的多晶硅膜、上层的氧化层，所述底层的多晶硅膜下表面装于所述衬底硅的上表面。 【当前权利人】无锡市纳微电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区长江路7号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320214670140010Q 【被引证次数】2 【被自引次数】2.0 【家族被引证次数】2

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