【摘要】 本实用新型公开了两种隧道磁电阻效应磁性编码器，一种包括一个磁块，一个磁性敏感元件，两个运算放大器，一个数字信号处理芯片，以及输出显示模块，磁性敏感元件采用TMR双轴磁场芯片，TMR双轴磁场芯片位于磁块的下方；两个运算放大器、数字信号处理芯片、输出显示模块位于一个PCB电路板上，PCB电路板位于磁块和TMR双轴磁场芯片的外部。另一种包括一个磁鼓，磁鼓边缘上有磁栅，一个磁性敏感元件，以及一个信号放大整形模块、一个计数模块、一个计算处理模块、一个显示模块，磁性敏感元件采用TMR半桥芯片，TMR半桥芯片位于磁鼓的边缘，并与磁栅之间间隔1-5mm的距离；信号放大整形模块、计数模块、计算处理模块位于一个PCB电路板上，PCB电路板位于磁鼓和TMR半桥芯片的外部。由于采用TMR材料制作的TMR芯片作为磁性敏感元件，其灵敏度高，温度稳定性好，信噪比高，抗噪声性能好。 【专利类型】实用新型 【申请人】王建国; 薛松生 【申请人类型】个人 【申请人地址】214028 江苏省无锡市新区长江路7号科技园一区204室 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201020518723.8 【申请日】2010-09-07 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201748928U 【公开公告日】2011-02-16 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201748928U 【授权公告日】2011-02-16 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G01D5/243 【发明人】王建国; 薛松生 【主权项内容】一种隧道磁电阻效应磁性编码器，包括一个磁块(11)，一个磁性敏感元件，两个运算放大器(17)，一个数字信号处理芯片(18)，以及输出显示模块(19)，其特征在于：所述磁性敏感元件采用TMR双轴磁场芯片(15)，TMR双轴磁场芯片(15)位于磁块(11)的下方；两个运算放大器(17)、数字信号处理芯片(18)、输出显示模块(19)位于一个PCB电路板(16)上，PCB电路板(16)位于磁块(11)和TMR双轴磁场芯片(15)的外部。 数据由整理 【当前权利人】王建国; 薛松生 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区长江路7号科技园一区204室; 【被引证次数】13 【被他引次数】13.0 【家族引证次数】10.0 【家族被引证次数】16

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