【摘要】 本实用新型涉及了一种适用于汽车电子的功率MOS场效应晶体管，其结构包含漏电极、芯片、焊料、直径达380微米铝线、塑封料、源电极、栅电极、栅极槽、散热板、直径100~150微米铝线和引线框架，其中引线框架包含漏电极引线、源电极引线、栅电极引线、散热板引线，芯片是沟槽栅结构，其栅极槽纵向剖面结构为“U”形结构，引线框架为非对称结构，芯片面积为9.88~13.5mm2，源电极键合区面积大于栅电极键合区，塑封键槽位于散热板引线的上方，源、栅电极内部键合区局部镀有银或镍。其有益效果在于：可使产品的封装小型化、贴片化，芯片装片区面积大，电流容量大，提高了产品的抗浪涌能力，还有高耐压、大电流、沟道导通电阻较小。 【专利类型】实用新型 【申请人】赵振华; 无锡罗姆半导体科技有限公司 【申请人类型】企业,个人 【申请人地址】214001 江苏省无锡市崇安区健康里8号门402 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】梁溪区 【申请号】CN201020663555.1 【申请日】2010-12-16 【申请年份】2010 【公开公告号】CN202025763U 【公开公告日】2011-11-02 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN202025763U 【授权公告日】2011-11-02 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/423; H01L23/495 【发明人】赵振华 【主权项内容】1.一种适用于汽车电子的功率MOS场效应晶体管，其结构包含漏电极(1)、芯片(2)、焊料(3)、铝线(4)、塑封料(5)、源电极(6)、栅电极(7)、散热板(8)，其特征在于：芯片(2)是沟槽栅结构，其栅极槽(71)纵向剖面为 “U”形槽；所使用的引线框架(10)为非对称结构。 【当前权利人】赵振华; 无锡罗姆半导体科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市崇安区健康里8号门402; 江苏省无锡市新区硕放中通东路88号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】913202147682910609 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2

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