【摘要】 本发明公布了一种150V-BCD体硅制造工艺和LCD背光驱动芯片，所述工艺如下：先准备高阻衬底硅片，在衬底增加N型埋层，用NSINKER1漏极结构连接N型埋层，外延N型外延层，和NSINKER2形成对通结构，形成LDPMOS器件体区，Resurf耐压区，沟道连接区，构成横向结构LPMOS高压器件；形成Resurf耐压区，补偿注入JFET区，VDNMOS器件体区，复合MOS栅沟道；用深槽隔离结构，替代传统的PISO隔离结构，用双薄栅DGO作为低压器件的栅氧，用N+/P+作为所有器件的漏极注入，用自对准硅化物技术Salicide减少互连电阻，形成接触孔，用MET形成器件连接，用PAD作为压焊点。所述驱动芯片包括：多级电荷泵升压电路、EL振荡电路、VSENSE模块、高压变换模块和全桥式驱动结构。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡晶凯科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214061 江苏省无锡市湖滨路655号603室 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】宜兴市 【申请号】CN201010244214.5 【申请日】2010-08-03 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101964329A 【公开公告日】2011-02-02 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101964329B 【授权公告日】2012-09-26 【授权公告年份】2012.0 【发明人】黄伟; 徐湘海; 王胜; 万清; 胡南中 【主权项内容】一种150V‑BCD体硅制造工艺，其特征在于包括如下步骤：1)准备P型衬底硅片；2)制备N型埋层；3)形成NSINKER1漏极对通结构；4)生长N型外延层；5)形成NSINKER2漏极对通结构；6)形成VHVNW阱结构，作为LDPMOS器件的体区；7)形成PDRIFT漂移区；8)形成PEDGE漂移区；9)形成PLINK连接区；10)形成ACTIVE有源区；11)形成TRENCH深槽结构；12)形成VHVTN注入；13)形成PBODY体区，作为VDNMOS器件的体区；14)形成HVPWELL阱；15)形成HVNWELL阱；16)形成LVPWELL阱；17)形成LVNWELL阱；18)生长DGO两个薄氧栅，包括高压薄栅氧GOX1，低压薄栅氧GOX2；19)注入N+漏极；20)注入P+漏极；21)Salicide自对准硅化物互连；22)形成接触孔；23)形成金属连线；24)PAD压焊点。 ： 【当前权利人】无锡晶凯科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市湖滨路655号603室 【专利权人类型】有限责任公司 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】3

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