【摘要】 一种在蓝宝石基板上进行光刻的方法，属于半导体技术领域，先在蓝宝石衬底上制备厚度为5nm~2μm的光刻胶粘附层；再在所述光刻胶粘附层上旋涂光刻胶；然后在光刻胶上制作光刻图形。本发明中在进行光刻工艺前，在蓝宝石衬底上先制备一层氮化硅或多晶硅或二氧化硅或氮氧硅薄膜，作为光刻胶与蓝宝石衬底间的粘附层，以增强光刻胶在蓝宝石衬底的粘附性，解决因粘附性不强的原因造成的蓝宝石衬底上进行光刻工艺中出现的光刻胶易脱落或光刻图形变形的问题。 【专利类型】发明申请 【申请人】南京大学扬州光电研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】225009 江苏省扬州市开发区邗江中路119号 【申请人地区】中国 【申请人城市】扬州市 【申请人区县】邗江区 【申请号】CN201010568674.3 【申请日】2010-12-02 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102169288A 【公开公告日】2011-08-31 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】G03F7/00; G03F7/16 【发明人】陈鹏; 王栾井; 宋雪云; 谭崇斌; 徐峰; 徐洲; 吴真龙; 高峰 【主权项内容】一种在蓝宝石基板上进行光刻的方法，其特征在于包括以下步骤：1)在蓝宝石衬底上制备厚度为5nm~2μm的光刻胶粘附层；2)在所述光刻胶粘附层上旋涂光刻胶；3)在光刻胶上制作光刻图形。 【当前权利人】南京大学扬州光电研究院 【当前专利权人地址】江苏省扬州市开发区邗江中路119号 【统一社会信用代码】12321000468833868T 【引证次数】4.0 【被引证次数】10 【他引次数】4.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】9.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】10

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