【摘要】 本发明公开了一种芯片减薄工艺中芯片的保护方法，采用3193型或319Y型热剥离膜和真空吸盘、去膜加热器等材料和工具，将3193型或319Y型热剥离膜覆盖制品硅片正面进行芯片减薄工艺，芯片减薄合格后，进行加热揭膜。本发明方法合理简便，芯片减薄工艺中芯片正面保护效果好。由于3193型或319Y型热剥离膜使用了热发泡剥离粘附剂，因而常温时粘附力极强，待加热到135～145℃时因粘附剂发泡，剥离力大大减小，故能轻易去膜，膜既不会被撕碎而残留在制品硅片表面，而且也不留残胶，操作简便，节约了生产材料成本，大大提高了产品质量和工作效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】扬州晶新微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】225009 江苏省扬州经济开发区鸿大路29号 【申请人地区】中国 【申请人城市】扬州市 【申请人区县】广陵区 【申请号】CN201010288921.4 【申请日】2010-09-21 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101982870A 【公开公告日】2011-03-02 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101982870B 【授权公告日】2012-01-25 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/02; H01L21/304 【发明人】张俊 【主权项内容】一种芯片减薄工艺中芯片的保护方法，其特征是：包括以下步骤：(1)准备：准备好“日东电工株式会社”生产的3193型和319Y型热剥离膜、真空吸盘、去膜加热器、特氟隆片架、特氟隆镊子、海绵檫和干净的白纱手套；(2)贴膜：2.1戴好干净白纱手套，使用特氟隆镊子从片架内夹取待贴膜的制品硅片，正面向上放置在真空吸盘上；2.2打开真空，使待贴膜的制品硅片吸附在真空吸盘上，用3193型或319Y型热剥离膜覆盖制品硅片正面，并用海绵擦将热剥离膜与制品硅片表面初步压实，再使用刀片沿制品硅片边缘切断热剥离膜；2.3破解真空，取下贴好热剥离膜的待减薄的制品硅片，使用刀片沿制品硅片边缘修整热剥离膜，使之与制品硅片完全重合；2.4用戴白纱手套的手指将贴好热剥离膜的待减薄的制品硅片边缘再次用力压实，防止边缘有缝隙存在；(3)对保护好的制品硅片进行背面减薄、化腐工艺；(4)去膜：4.1将去膜加热器接通加热电源，控制温度在135～145℃；4.2然后将需剥除热剥离膜的制品硅片平放在加热器的金属平台上；4.3待制品表面的热剥离膜发生突起；4.4用特氟隆镊子将制品表面突起的热剥离膜揭除；4.5将去膜后的制品硅片放入特氟隆片架内。 【当前权利人】扬州晶新微电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省扬州经济开发区鸿大路29号 【专利权人类型】有限责任公司(中外合资) 【统一社会信用代码】913210917115473363 【引证次数】2.0 【被引证次数】7 【他引次数】2.0 【被他引次数】7.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】7

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