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二极管芯片专利

时间:2026-06-12    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 二极管芯片。涉及一种半导体分立器件。能克服检测中放电,使用中“爬电”现象。芯片边沿设有一圈玻璃质保护层,芯片的水平投影为无折角的封闭形状;芯片的纵向截面呈凸字形,侧边上部为凹弧形,下部为直边;侧边的凹弧形段上设有一圈半绝缘多晶硅膜;玻璃质保护层覆盖半绝缘多晶硅膜上部的70-95%。本实用新型可有效的防止方形芯片尖角造成的尖端放电,提高耐压能力,避免失效或故障。SIPOS膜作用为吸收芯片表面可动离子(杂质),增强器件稳定性、提高二极管耐压能力。沟槽底部仍会保留SIPOS膜和SIO2膜,防止在蒸金时会有金层附着在上面。 【专利类型】实用新型 【申请人】扬州杰利半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】225008 江苏省扬州市平山堂北路江阳创业园三期 【申请人地区】中国 【申请人城市】扬州市 【申请号】CN201020185410.5 【申请日】2010-05-11 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201708159U 【公开公告日】2011-01-12 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201708159U 【授权公告日】2011-01-12 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/861; H01L23/60 【发明人】汪良恩; 裘立强; 魏兴政 【主权项内容】二极管芯片,所述芯片边沿设有一圈玻璃质保护层,其特征在于,所述芯片的水平投影为无折角的封闭形状;所述芯片的纵向截面呈凸字形,侧边上部为凹弧形,下部为直边;所述侧边的凹弧形段上设有一圈半绝缘多晶硅膜;所述玻璃质保护层覆盖所述半绝缘多晶硅膜上部的70‑95%。 【当前权利人】扬州杰利半导体有限公司 【当前专利权人地址】江苏省扬州市平山堂北路江阳创业园三期 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91321003689176902H

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