【摘要】 本发明公开了一种新型的晶体硅太阳电池，包括晶体硅基体，所述晶体硅基体的前表面具有发射极结构，所述晶体硅基体的背面具有异质结结构，所述异质结结构依次包括一层覆盖在晶体硅基体整个背面的本征氢化非晶硅膜；一层采用与基体导电类型相同的掺杂剂进行重掺杂的氢化非晶硅膜；一层透明导电氧化膜以及穿过透明导电氧化膜与重掺杂层形成欧姆接触的金属导电电极。还公开了上述晶体硅太阳电池的制作方法。具有本发明所述结构的晶体硅太阳电池可以减少电池表面的复合损失；同时使太阳电池片背面形成较好的光陷阱结构，提高太阳电池的开路电压，从而提高了太阳电池的转换效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】225131 江苏省扬州市扬州经济开发区建华路1号 【申请人地区】中国 【申请人城市】扬州市 【申请号】CN201010553978.2 【申请日】2010-11-22 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102064216A 【公开公告日】2011-05-18 【公开公告年份】2011 【发明人】李玉庆; 蒋方丹; 单伟 【主权项内容】一种新型晶体硅太阳电池，其特征是：包括晶体硅基体，在晶体硅基体的前表面具有发射极结构，所述发射极结构包括扩散层，所述扩散层在金属栅线下的区域为重掺杂层，在金属栅线之间的区域为轻掺杂层，其中掺杂用的掺杂剂与晶体硅基体的导电类型相反，所述发射极结构还包含在扩散层上的减反射膜和前表面金属导电电极，所述前表面金属导电电极与重掺杂区域相接触；所述晶体硅基体在背面具有异质结结构，所述异质结结构依次包括一层覆盖在晶体硅基体整个背面的本征氢化非晶硅膜；一层采用与基体导电类型相同的掺杂剂进行重掺杂的氢化非晶硅膜；一层透明导电氧化膜以及与透明导电氧化膜形成欧姆接触的金属导电电极。。微信 【当前权利人】晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省扬州市扬州经济开发区建华路1号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91321091792314947X 【被引证次数】29 【被他引次数】29.0 【家族被引证次数】29

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