【摘要】 一种去除芯片上硼斑的方法。涉及的是一种电化学去除硼斑的方法。首先，用去离子水配制ZnSO4溶液，溶液质量比为去离子水∶硫酸锌＝5∶0.8-1.2；其次，准备电解槽，直流源的阳极连接钼丝，阴极连接铜棒；然后，将所述芯片置于电解槽底，芯片的P面朝上并接触所述钼丝；接着，开始电解反应，将直流源电压调整至10-20V，电流0.8-1.8A，芯片表面析出气泡，至电流表度数为0时，反应停止，取出芯片；最后，将芯片置入HF溶液浸泡5-10分钟后用清水冲洗，完毕。本发明用电化学法代替喷砂法去除半导体硅片表面的硼斑最终实现防止产生器件应力，避免造成晶格缺陷，改善二极管电性能力的效果。可以减少对晶片的损伤，可以降低生产成本，提高生产产能。 【专利类型】发明申请 【申请人】扬州杰利半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】225008 江苏省扬州市平山堂北路江阳创业园三期 【申请人地区】中国 【申请人城市】扬州市 【申请号】CN201010168261.6 【申请日】2010-05-11 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102243984A 【公开公告日】2011-11-16 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102243984B 【授权公告日】2013-05-08 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01L21/00; C25B1/02 【发明人】裘立强; 游佩武 【主权项内容】1.一种去除芯片上硼斑的方法，其特征在于，首先，用去离子水配制ZnSO4溶液，溶液质量比为去离子水∶硫酸锌＝5∶0.8-1.2；其次，准备电解槽，直流源的阳极连接钼丝，阴极连接铜棒；然后，将所述芯片置于电解槽底，芯片的P面朝上并接触所述钼丝；接着，开始电解反应，将直流源电压调整至10-20V，电流0.8-1.8A，芯片表面析出气泡，至电流表度数为0时，反应停止，取出芯片；最后，将芯片置入HF溶液浸泡5-10分钟后用清水冲洗，完毕。 1.一种去除芯片上硼斑的方法，其特征在于，首先，用去离子水配制ZnSO4溶液，溶液质量比为去离子水∶硫酸锌＝5∶0.8-1.2；其次，准备电解槽，直流源的阳极连接钼丝，阴极连接铜棒；然后，将所述芯片置于电解槽底，芯片的P面朝上并接触所述钼丝；接着，开始电解反应，将直流源电压调整至10-20V，电流0.8-1.8A，芯片表面析出气泡，至电流表度数为0时，反应停止，取出芯片；最后，将芯片置入HF溶液浸泡5-10分钟后用清水冲洗，完毕。 【当前权利人】扬州杰利半导体有限公司 【当前专利权人地址】江苏省扬州市平山堂北路江阳创业园三期 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91321003689176902H 【引证次数】2.0 【被引证次数】4 【他引次数】2.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】4

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