【摘要】 一种半导体晶片的裂片方法。涉及半导体晶片裂片方法。在裂片后能轻松、快捷地将不良品剔除。晶片正面具有相互交叉的分裂槽，使晶片上形成若干相互连接的芯片，其中不良芯片通过检测后，标记上色点，按以下步骤将晶片分裂：1)配制粘连液；2)在膜一上均匀涂覆所述粘连液，接着将晶片正面朝下地贴合于所述膜一上；3)再往晶片背面均匀涂覆粘连液，再贴合膜二，使晶片处于两膜之间；4)利用滚压轮在膜二上，沿晶片正面的分裂槽的槽沿进行滚压，分裂槽断裂使晶片分裂为若干芯片；5)将整体翻转，使膜一朝上，揭去膜一，从仍粘附在膜二上已经分裂的若干芯片中剔除带有色点的芯片，制得。本发明简单、成本低、实用性强。 【专利类型】发明申请 【申请人】扬州杰利半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】225008 江苏省扬州市平山堂北路江阳创业园三期 【申请人地区】中国 【申请人城市】扬州市 【申请号】CN201010168253.1 【申请日】2010-05-11 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102244039A 【公开公告日】2011-11-16 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102244039B 【授权公告日】2014-02-05 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/78; H01L21/68 【发明人】汪良恩; 裘立强; 魏兴政 【主权项内容】1.一种半导体晶片的裂片方法，所述晶片正面具有相互交叉的分裂槽，使晶片上形成若干相互连接的芯片，其中不良芯片通过检测后，标记上色点，其特征在于，按以下步骤将晶片分裂：1)、配制粘连液，将异丙醇和水按体积比1∶1.5-2.5均匀混合，待用；2)、在膜一上均匀涂覆所述粘连液，接着将所述晶片正面朝下地贴合于所述膜一上；3)、再往所述晶片背面均匀涂覆粘连液，再贴合膜二，使晶片处于所述两膜之间；4)、利用滚压轮在所述膜二上，沿所述晶片正面的分裂槽的槽沿进行滚压，分裂槽断裂使晶片分裂为若干芯片；5)、将整体翻转，使膜一朝上，揭去膜一，从仍粘附在膜二上已经分裂的若干芯片中剔除带有色点的芯片，制得。 【当前权利人】扬州杰利半导体有限公司 【当前专利权人地址】江苏省扬州市平山堂北路江阳创业园三期 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91321003689176902H 【引证次数】2.0 【被引证次数】3 【他引次数】2.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】3

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