【摘要】本实用新型涉及一种带有吸盘的喷头,包括有喷头主体和吸盘,其特征在于:在喷头的背部安装有吸盘,当人们不使用喷头的时候,可以通过吸盘将喷头随意的固定,本实用新型结构简单,易于制造。【专利类型】实用新型【申请人】张晶; 霍文奇; 李训萍【
【摘要】 本发明提供了一种GCL法多晶硅生产方法,也称为闭环式多晶硅生产方法,其包括氯氢化步骤、反歧化步骤、还原/循环步骤和纯化步骤,其中所述纯化步骤将其他步骤的供料分离为四氯化硅、二氯二氢硅和三氯氢硅,并将其循环返回至这些其他步骤中。该多晶硅生产方法可以最大限度地(循环)利用所有的原料或副产物,极大地降低生产体系对外界的依赖程度,并且生产方法的三废排放量显著减少,从而显著地降低多晶硅的生产成本和生产能物耗,是一种真正意义上的绿色生产方法。。: 【专利类型】发明申请 【申请人】江苏中能硅业科技发展有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】221004 江苏省徐州市经济开发区杨山路66号 【申请人地区】中国 【申请人城市】徐州市 【申请人区县】鼓楼区 【申请号】CN201010604555.9 【申请日】2010-12-24 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102180467A 【公开公告日】2011-09-14 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102180467B 【授权公告日】2012-12-26 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】C01B33/03; C01B33/037 【发明人】蒋文武; 崔树玉; 蒋立民; 李力; 钟真武 【主权项内容】一种GCL法多晶硅生产方法,包括以下步骤:1)提供硅粉源、氢气源、氯化氢源、二氯二氢硅源、三氯氢硅源和四氯化硅源的步骤;2)氯氢化步骤:以所述硅粉源的硅粉、所述氯化氢源的氯化氢、所述四氯化硅源的四氯化硅和所述氢气源的氢气作为原料,制造粗三氯氢硅A;3)纯化步骤A:将所述粗三氯氢硅A分离为四氯化硅、二氯二氢硅和三氯氢硅,并将其分别作为相应供料供应到所述四氯化硅源、所述二氯二氢硅源和所述三氯氢硅源贮存;4)反歧化步骤:以所述二氯二氢硅源的二氯二氢硅和所述四氯化硅源的四氯化硅作为原料,制造粗三氯氢硅B;5)纯化步骤B:将所述粗三氯氢硅B分离为四氯化硅、二氯二氢硅和三氯氢硅,并将其分别作为相应供料供应到所述四氯化硅源、所述二氯二氢硅源和所述三氯氢硅源贮存;6)还原步骤:以所述三氯氢硅源的三氯氢硅、所述氢气源的氢气和所述二氯二氢硅源的二氯二氢硅作为原料,制造多晶硅并副产还原尾气;7)循环步骤:将所述还原尾气初步分离为氢气、氯化氢和含硅混合液,并将所述氢气和所述氯化氢分别作为相应供料供应到所述氢气源和所述氯化氢源贮存,而将所述含硅混合液供应到纯化步骤C;和8)纯化步骤C:将所述含硅混合液分离为四氯化硅、二氯二氢硅和三氯氢硅,并将其分别作为相应供料供应到所述四氯化硅源、所述二氯二氢硅源和所述三氯氢硅源贮存,其中,所述纯化步骤A、所述纯化步骤B和所述纯化步骤C作为同一个纯化步骤进行。 【当前权利人】江苏中能硅业科技发展有限公司 【当前专利权人地址】江苏省徐州市经济开发区杨山路66号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳合资) 【统一社会信用代码】913203017849976109 【引证次数】10.0 【被引证次数】13 【他引次数】10.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】12.0 【家族引证次数】10.0 【家族被引证次数】13
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