【摘要】 一种医用CoCrMo合金表面制备高硬度类金刚石薄膜方法，首先用H2(氢气)气对抛光清洗过的CoCrMo(钴铬钼)合金进行溅射清洗；利用常规射频等离子增强化学气相沉积以SiH4(硅烷)和H2(氢气)为气源，在CoCrMo合金表面沉积Si(硅)膜过渡层；而后采用常规射频等离子增强化学气相沉积以CH4(甲烷)和H2(氢气)为气源，在Si(硅)膜过渡层上制备出DLC膜。本发明制备的膜基之间呈锯齿状结合特征，表明膜基之间有良好的结合性能，克服了因结合性差造成界面承载能力弱的缺点；同时制备的DLC膜含有较高含量的sp3C键，可获得高硬度的DLC膜，有效提高了DLC膜的抗磨损性能。此外本发明具有工艺简单，成本低的优势，在生物材料的表面改性技术领域具有巨大的应用潜力。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国矿业大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】221116 江苏省徐州市三环南路中国矿业大学科技处 【申请人地区】中国 【申请人城市】徐州市 【申请人区县】铜山区 【申请号】CN201010555637.9 【申请日】2010-11-24 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101967626A 【公开公告日】2011-02-09 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101967626B 【授权公告日】2012-09-05 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】C23C16/27 【发明人】孙彦敏; 王庆良; 沈涵; 张绪平; 张磊 【主权项内容】一种医用CoCrMo合金表面制备高硬度类金刚石薄膜方法，其特征在于包括以下步骤：a．将医用CoCrMo(钴铬钼)合金表面用不同型号的水砂纸依次打磨后抛光处理，使其表面粗糙度降至15nm以下，之后将其浸入酒精溶剂中进行超声波清洗，除去合金表面污物后放入烘箱中烘干；b．将干燥后的医用CoCrMo(钴铬钼)合金放入化学气相沉积反应室，对反应室进行抽真空，当反应室气压低于10‑4Pa时，通入H2(氢气)，控制H2(氢气)流量、反应气压和射频功率，对反应室内的医用CoCrMo(钴铬钼)合金进行溅射清洗5min；c．抽出反应室内的H2(氢气)，当反应室气压低于10‑4Pa时，向反应室通入SiH4(硅烷)和H2(氢气)，控制SiH4(硅烷)和H2(氢气)的流量、反应气压、射频功率、沉积温度和沉积时间，采用常规的射频等离子增强化学气相沉积法在医用CoCrMo(钴铬钼)合金基体表面沉积Si(硅)薄膜，形成Si(硅)薄膜过渡层；d．抽出反应室内的SiH4(硅烷)和H2(氢气)，当反应室气压低于10‑4Pa时，向反应室通入CH4(甲烷)和H2(氢气)，控制CH4(甲烷)和H2(氢气)的流量、反应气压、射频功率、沉积温度和沉积时间，采用常规的射频等离子增强化学气相沉积法在沉积过Si(硅)薄膜过渡层的基体表面上得到高硬度的类金刚石(DLC)薄膜。 【当前权利人】中国矿业大学 【当前专利权人地址】江苏省徐州市三环南路中国矿业大学科技处 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000466007570L 【引证次数】1.0 【被引证次数】4 【他引次数】1.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】4

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