【摘要】 本发明公开了一种带气体冷阱的硅单晶生长炉，包括真空工作室和晶体生长室，真空工作室内设置有坩埚、加热器、保温罩以及导流筒，晶体生长室同轴设置在真空工作室的上部并与其相通，在晶体生长室和真空工作室之间设置有气体冷阱，气体冷阱包括法兰盘一、外套筒以及内套筒，法兰盘一的盘体上开有进气口，外套筒和内套筒固定连接在法兰盘一上，且均竖直向下延伸至导流筒的上方，在其两者之间形成气体流通空隙，气体流通空隙与进气口相通。本发明不会产生因氩气的流动而硅单晶的正常生长，同时能加大硅单晶棒的生长速度，可广泛适用于半导体硅单晶制备设备技术领域和其它单晶制备设备技术领域。 【专利类型】发明申请 【申请人】江苏华盛天龙光电设备股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213200 江苏省常州市金坛市华城路318号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】金坛区 【申请号】CN201010565428.2 【申请日】2010-11-30 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102011176A 【公开公告日】2011-04-13 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102011176B 【授权公告日】2012-06-27 【授权公告年份】2012.0 【发明人】李留臣 【主权项内容】一种带气体冷阱的硅单晶生长炉，包括真空工作室和晶体生长室(16)，所述真空工作室内设置有坩埚(7)、加热器(6)、保温罩(5)以及位于所述坩埚(7)上方的导流筒(9)，所述晶体生长室(16)同轴设置在所述真空工作室的上部并与所述真空工作室相通，其特征在于，在所述晶体生长室(16)和所述真空工作室之间设置有气体冷阱(18)，所述气体冷阱(18)包括同轴设置的法兰盘一(19)、外套筒(12)以及内套筒(14)，所述法兰盘一(19)的盘体上开有径向方向的进气口(17)，所述内套筒(14)固定连接在所述法兰盘一(19)的内壁上，所述外套筒(12)设置在所述内套筒(14)的外侧且固定连接在法兰盘一(19)的下方，所述外套筒(12)和内套筒(14)均竖直向下延伸至所述导流筒(9)的上方，所述外套筒(12)和内套筒(14)之间形成环形的气体流通空隙(13)，所述气体流通空隙(13)与进气口(17)相通。 【当前权利人】江苏华盛天龙光电设备股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市金坛市华城路318号 【专利权人类型】股份有限公司 【统一社会信用代码】913204007337667089 【被引证次数】5 【被他引次数】5.0 【家族被引证次数】5

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1780853659.html