【摘要】 本发明涉及一种制备场阻断型绝缘栅双极晶体管的方法，N-型单晶片清洗后在正反两表面预扩散N+型半导体杂质，经主扩散、推结形成N+杂质区，研磨去除一个N+杂质区作为硅片正面，抛光硅片正面制得衬底材料，光刻场限环形成场限环P+窗口并进行硼离子注入，再光刻形成源区窗口，硅片栅氧化后进行多晶硅淀积和掺杂，在多晶硅栅窗口内离子注入并扩散形成P杂质区和N+杂质区，进行绝缘介质层淀积和回流、光刻引线孔，淀积金属层形成发射极和栅极；将硅片背面的N+杂质区磨消减薄，将硼离子注入后退火形成P+杂质区，淀积金属层形成集电极。本发明具有简化工艺流程，制造成本低，有利于实现IGBT软关断的特点。。： 【专利类型】发明申请 【申请人】江苏宏微科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213022 江苏省常州市新北区华山中路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201010603565.0 【申请日】2010-12-24 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102142372A 【公开公告日】2011-08-03 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102142372B 【授权公告日】2012-10-24 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/331; H01L21/28; H01L21/223; H01L21/265 【发明人】戚丽娜; 张景超; 刘利峰; 赵善麒 【主权项内容】1.一种制备场阻断型绝缘栅双极晶体管的方法，其特征在于：包括以下步骤，(1)、衬底制备：对厚度在100-1000μm的N-型单晶片进行清洗后，在N-型单晶片的正反两表面上预扩散浓度高于N-单晶片的N+型半导体杂质，在1100-1300℃温度下，进行100-400h的N+型杂质的主扩散，推结深度至10-300μm形成N+杂质区，研磨去除其中一个N+杂质区并作为硅片正面，抛光硅片正面，制得作为场所阻断区的N+杂质区和N-杂质区的衬底材料；(2)、光刻场限环及硼离子注入：在硅片正面进行氧化形成场氧化层，涂覆光刻胶，进行曝光、显影、刻蚀，形成场限环P+窗口，再进行硼离子注入高温扩散推结，形成导电沟道所在的P杂质区；(3)、光刻有源区：在硅片正面涂覆光刻胶，进行曝光、显影、刻蚀，形成有源区窗口；(4)、栅氧化：对硅片进行清洗处理，去除有源区内的场氧化层，并对硅片进行氧化形成栅氧化层；(5)、多晶硅淀积和掺杂：在栅氧化层上淀积多晶硅层，并对多晶硅层进行离子掺杂；(6)、光刻多晶硅栅窗口：在多晶硅层表面涂覆光刻胶，进行曝光、显影、刻蚀形成多晶硅栅窗口；(7)、离子注入和扩散：将硼离子注入多晶硅栅窗口内，高温扩散形成P杂质区，再将砷离子注入到多晶硅栅窗口，高温激活和扩散形成N+杂质区；(8)、侧壁保护墙淀积和刻蚀：在多晶硅层表面淀积的二氧化硅层，然后进行干法刻蚀，形成多晶硅栅两侧壁保护墙；(9)、绝缘介质层淀积和回流：在硅片正面淀积绝缘介质层，然后对绝缘介质层进行回流处理；(10)、引线孔光刻和腐蚀：在硅片正面涂覆光刻胶、光刻、显影、刻蚀形成发射极及栅极的引线孔；(11)、金属层淀积及钝化层淀积和光刻：对硅片正面溅射或蒸发金属层，通过光刻金属层形成发射极和栅极，并在硅片正面淀积钝化层，并对钝化层光刻和刻蚀出发射极和栅极的引出窗口；(12)、背面离子注入及退火：将硅片背面的N+杂质区磨消减薄至5-50μm，将硼离子注入硅片背面，低温退火形成P+杂质区；(13)、背面金属层淀积：对硅片背面溅射Ti或Ni或Ag形成集电极，制得场阻断型绝缘栅双极晶体管。 【当前权利人】江苏宏微科技股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区华山中路18号 【引证次数】3.0 【被引证次数】30 【他引次数】3.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】28.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】30

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