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拓扑学原理设计的硅太阳能电池正电极专利

时间:2026-06-04    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 本发明涉及硅太阳能电池正电极设计领域,特别是一种拓扑学原理设计的硅太阳能电池正电极它,包括细栅线和主栅线,电池片正面的多根细栅线为同心圆和同心圆弧形,相邻细栅线之间的距离为2~3mm。本发明所设计的硅太阳能电池栅线传导结构,运用拓扑学规律,改变其分布状况,增加电池片表面的电子的传输速度,增加电子的有效传导。 【专利类型】发明申请 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201010620111.4 【申请日】2010-12-31 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102130193A 【公开公告日】2011-07-20 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102130193B 【授权公告日】2012-10-17 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L31/042; H01L31/0224 【发明人】陈苏平 【主权项内容】一种拓扑学原理设计的硅太阳能电池正电极,包括细栅线(1)和主栅线(2),其特征是:所述的电池片正面的多根细栅线(1)为同心圆和同心圆弧形,相邻细栅线(2)之间的距离为2~3mm。 【当前权利人】天合光能股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【引证次数】3.0 【被引证次数】5 【他引次数】3.0 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】5

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