【摘要】 本发明涉及一种一步扩散制备N型太阳能电池的方法，是以n型直拉单晶硅为基体，正面有随机分布的正金字塔绒面结构，硅片的正面是覆盖有SiN减反膜的磷扩散制备的表面场，表面场上是印有银金属电极，背面是有丝网印刷AL浆扩散制备的P-型发射结，表面场和发射结是在高温链式扩散炉中进行同时扩散。本发明工艺过程简单，容易控制，成本低，光电转换效率高。 【专利类型】发明申请 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201010294747.4 【申请日】2010-09-28 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102097525A 【公开公告日】2011-06-15 【公开公告年份】2011 【发明人】张学玲 【主权项内容】一种一步扩散制备N型太阳能电池的方法，其特征在于包括以下步骤：1)将硅片表面清洗，并在硅片表面形成正金字塔绒面结构；2)在硅片背面丝网印刷铝浆并烘干；3)在硅片正面喷涂磷酸或印刷磷浆并烘干，将硅片在高温链式扩散炉中进行扩散，在硅片表面同时形成表面场和发射结；4)PSG清洗，正面镀SiN减反膜，印刷正面电极并烧结，然后用激光刻蚀边缘。。微信 【当前权利人】常州天合光能有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【被引证次数】8 【被他引次数】8.0 【家族被引证次数】8

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