【摘要】 本发明提供一种测量硅片扩散长度的表面处理方法，包括如下步骤，将原生硅片在酸液中漂洗，漂洗后用去离子水清洗，去除残留漂洗液后烘干，再利用等离子体气相化学沉积法在硅片表面沉积氮化硅薄膜，将沉积了氮化硅薄膜的硅片放入烧结炉烧结，最后将烧结完的硅片冷却至室温后放入SemiLab PV2000测试设备的样品台测试，结果SPV8、SPV6信号均明显增强，线性比LR显著增大，完全达到测试设备要求。 【专利类型】发明申请 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201010620796.2 【申请日】2010-12-31 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102154626A 【公开公告日】2011-08-17 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】C23C16/34; C23C16/56; C23C16/02; H01L21/66 【发明人】张驰; 陈雪 【主权项内容】一种测量硅片扩散长度的表面处理方法，其特征在于：包括如下步骤：第一步、漂洗：将原生硅片浸入由质量百分比为47％～49％的氢氟酸，65％～68％的硝酸混合去离子水制得的酸性漂洗液中漂洗，时间为1min～5min，酸性漂洗液配比为V氢氟酸∶V硝酸∶V去离子水＝(1～1.5)∶(2～4.5)∶(1.7～3)；第二步、清洗：将漂洗后的硅片用去离子水清洗，时间为2min～5min；第三步、烘干：将清洗过的硅片放入烘干炉烘干，时间为8min～10min；第四步、沉积：将烘干后的硅片在等离子体气相化学沉积设备中沉积7min～10min，气源为硅烷和氮气混合物，硅片上氮化硅气体薄膜厚度达到70nm～90nm；第五步、烧结：将沉积了氮化硅气体薄膜的硅片放入烧结炉烧结，烧结温度为230℃～910℃，时间为2min～3min；第六步、测试：将上述物料样片冷却至室温，放入测试设备的样品台测试。。： 【当前权利人】常州天合光能有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【引证次数】5.0 【被引证次数】2 【他引次数】5.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】2

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