【摘要】 本发明涉及硅太阳能电池的技术领域，尤其是一种具有背面钝化的选择性发射结硅太阳能电池的制备方法：将硅片进行清洗制绒；采用热氧化的方法在硅片表面生长一层二氧化硅的薄膜；用腐蚀性浆料对硅片进行腐蚀，将硅片腐蚀出正电极后进行选择性扩散，在硅片的正面形成选择性发射结；将硅片去PSG及刻边；在硅片的背面沉积一层三氧化二铝薄膜作为钝化层；将硅片进行氢气退火、正面及背面电极的印刷、烧结并进行电性能测试。本发明在硅片的背表面生长或沉积一层或多层的电介质薄膜，并在背面印刷电极，通过烧结实现欧姆接触，降低背面复合，提高了电池的效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201010620660.1 【申请日】2010-12-31 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102130213A 【公开公告日】2011-07-20 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】邓伟伟 【主权项内容】一种具有背面钝化的选择性发射结硅太阳能电池的制备方法，其方法步骤为：(一)、将硅片进行清洗制绒；(二)、采用热氧化的方法在硅片表面生长一层二氧化硅的薄膜；(三)、用腐蚀性浆料对硅片进行腐蚀，将硅片腐蚀出正电极后进行选择性扩散，在硅片的正面形成选择性发射结；(四)、将硅片去PSG及刻边；(五)、在硅片的背面沉积一层三氧化二铝薄膜作为钝化层；(六)、将硅片进行氢气退火、正面及背面电极的印刷、烧结并进行电性能测试。 【当前权利人】常州天合光能有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【引证次数】6.0 【被引证次数】10 【自引次数】1.0 【他引次数】5.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】10

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