【摘要】： 本实用新型涉及一种浮标式氧气调节器，特别涉及使用的医院中心供氧用雾化器专用调节器；包括调节器主体，进气装置，出气装置，流量计，调节阀，过滤器；所述的过滤器设于调节器主体内部，使得调节器主体与过滤器之间留有空隙，所述的空隙形成外腔
【摘要】 一种只读存储器及其制造方法，依序形成隧穿氧 化层、第一多晶硅层、底面氧化层与第一氮化硅层于半导体基 底上，掩模限定使第一多晶硅层为浮置栅。再在基底形成掺杂 区，并形成顶端氧化层及第二氮化硅层于第一氮化硅层上。后 回蚀第二氮化硅层，使浮置栅侧壁形成氮化硅间隙壁。后使氧 化掺杂区形成蚀刻阻挡层，在间隙壁形成氮氧化硅层并使顶端 氧化层致密，形成第二多晶硅层并限定控制栅，再进行源/漏 极区的掺杂并完成存储器制作。。： 【专利类型】发明申请 【申请人】世大积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98115215.5 【申请日】1998-06-24 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1239832A 【公开公告日】1999-12-29 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1133215C 【授权公告日】2003-12-31 【授权公告年份】2003.0 【IPC分类号】H01L27/112; H01L21/82; H01L21/8246; H01L21/70 【发明人】张格荥 【主权项内容】1.一种只读存储器，形成于已设有至少一场氧化层的一半导体基底上， 其特征在于，它包括： 一隧穿氧化层，形成于所述半导体基底上； 一浮置栅，形成于所述隧穿氧化层上； 一介电层，形成于所述浮置栅上； 一间隙壁，形成于所述浮置栅的侧壁； 在所述半导体基底中的一刻蚀阻挡层，是通过在所述半导体基底中进行 离子注入，并进行氧化而形成的； 一控制栅，形成于所述介电层上；以及 多个源/漏极区，形成于所述半导体基底中。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省新竹科学工业园区 【被引证次数】3.0 【被他引次数】3.0 【家族被引证次数】3.0
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