【摘要】 一种形成双冠状电容器的制造方法包括 : 形成第 一介电层; 构图和蚀刻以形成接触窗开口; 在第一介电层上形成 第一导电层, 并填入接触窗开口; 在第一导电层上形成第二介电 层; 构图和蚀刻 第二介电层和第一导电层, 以在接触窗开口上形成中间结构; 形 成第二导电层; 构图和蚀刻之, 形成多个间隙壁, 并移除位于第二 介电层上方的至少部分第二导电层; 移除第二介电层; 沉积第三 介电层; 及在第三介电层上形成第三导电层。 -官网 【专利类型】发明申请 【申请人】世大积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98116074.3 【申请日】1998-07-16 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1231511A 【公开公告日】1999-10-13 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1110850C 【授权公告日】2003-06-04 【授权公告年份】2003.0 【IPC分类号】H01L21/82; H01L21/8242; H01L21/70; H01L27/108 【发明人】张格滎; 杜友伦; 罗吉进 【主权项内容】1．一种在一基底上形成双冠状电容器的制造方法，该方法包括下列步 骤： 在该基底上形成一第一介电层； 构图和蚀刻该第一介电层，以形成一接触窗开口； 在该第一介电层上形成一第一导电层，并填入该接触窗开口； 在该第一导电层上形成一第二介电层； 构图和蚀刻该第二介电层和该第一导电层，以在该接触窗开口上形成一 中间结构，该中间结构有一位于该接触窗开口上的空的中间区域； 在该中间结构上形成一第二导电层； 构图和蚀刻该第二导电层，以在该中间结构的侧壁形成多个间隙壁，并 移除位于该第二介电层上方的至少部分该第二导电层； 移除该第二介电层； 在该第一导电层和该第二导电层上方沉积一第三介电层；以及 在该第三介电层上形成一第三导电层。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 【被引证次数】2.0 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2.0

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