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低功率输入缓冲器专利

时间:2026-05-31    作者:admin 点击: ( 0 ) 次

【摘要】 一种低功率TTL-至-CMOS输入缓冲器, 用于 缓冲晶体管-晶体管逻辑(TTL)电子信号至互补型金属氧化物 半导体(CMOS)电子信号。本发明至少包含电压下移电路, 用于 根据TTL信号来产生和TTL信号反相的第一输出信号。基准 上移电路根据TTL信号及第一输出信号来产生和TTL信号的 逻辑状态相同且符合CMOS电压基准的第二输出信号。 【专利类型】发明申请 【申请人】世界先进积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98106227.X 【申请日】1998-04-07 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1231547A 【公开公告日】1999-10-13 【公开公告年份】1999 【IPC分类号】H03K19/08 【发明人】刘汉城; 卢裕阶; 胡耀达 【主权项内容】1.一种缓冲装置,用于缓冲一晶体管-晶体管逻辑(TTL)电子信号至一 互补型金属氧化物半导体(CMOS)电子信号,该装置至少包含: 电压下移装置,用于根据所述TTL信号来产生一与所述TTL信号反相 的第一输出信号;及 基准上移装置,用于根据所述TTL信号及所述第一输出信号来产生一与 所述TTL信号的逻辑状态相同且符合CMOS电压基准的第二输出信号。 【当前权利人】世界先进积体电路股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省新竹科学工业园区 【被引证次数】3.0 【被他引次数】3.0 【家族被引证次数】3.0

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