【摘要】本发明涉及一种陶瓷球, 特别是一种电气石陶瓷 球。它由电气石磨成直径为2.6μm—140μm左右大小的微粒, 占总重量约3%—98%; 粘土占总重量的97%—2%; 加水搅拌后, 成型干燥烧结为直径0.5mm—50mm的小球。本发明
【摘要】 公开一种多阶快闪存储单元及其制造方法, 该存 储单元包括 : 一p型硅基底; 一深n井, 位于该p型硅基底中; 一p 井, 位于该深n井中; 一第一绝缘层, 位于该p井表面上; 三个浮置 栅极, 彼此邻近但隔绝, 且位于该第一绝缘层上; 一源极区和一漏 极区, 位于该p井中, 且分别位于该三个浮置栅极的两侧; 一第二 绝缘介电层, 位于该三个浮置栅极、该源极 区、以及该漏极区上; 以及一控制栅极, 位于该第二绝缘介电层 表面上。 【专利类型】发明申请 【申请人】世大积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN98115024.1 【申请日】1998-06-22 【申请年份】1998 【公开公告号】CN1230786A 【公开公告日】1999-10-06 【公开公告年份】1999 【授权公告号】CN1172375C 【授权公告日】2004-10-20 【授权公告年份】2004.0 【IPC分类号】H01L27/105; H01L21/82; H01L21/8232; G11C11/56; G11C16/04; H01L21/336; H01L27/115; H01L29/788 【发明人】王琳松 【主权项内容】1．一种多阶快闪存储单元，包括： 一p型硅基底； 一深n井，位于该p型硅基底中； 一p井，位于该深n井中； 一第一绝缘层，位于该p井表面上； 三个浮置栅极，彼此邻近但隔绝，且位于该第一绝缘层上； 一源极区和一漏极区，位于该p井中，且分别位于该三个浮置栅极的两 侧； 一第二绝缘介电层，位于该三个浮置栅极、该源极区、以及该漏极区上； 以及 一控制栅极，位于该第二绝缘介电层表面上。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 【被引证次数】15.0 【被自引次数】7.0 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】72.0
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