【摘要】右视图与左视图对称, 省略右视图。【专利类型】外观设计【申请人】隆门科技股份有限公司【申请人类型】企业【申请人地址】台湾省台北县汐止镇龙安路28巷6号10楼之6【申请人地区】中国【申请人城市】台湾省【申请号】CN98326490.2
【摘要】 本发明涉及一种硅键合片界面缺陷的检测方法，它包括(1)以振荡频率在1MHz以上的兆声波激活电阻值14MΩ·cm以上的去离子水，形成兆声去离子水波；(2)以所述的兆声去离子水波扫射硅键合片表面；(3)在聚光灯和显微镜下检查经兆声去离子水波扫射过的硅键合片，确定是否存在缺陷和缺陷的种类。该方法用于微电子机械制造中对硅/硅键合片界面的缺陷进行检测，能方便准确地判断其缺陷及其缺陷种类。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国电子科技集团公司第二十四研究所 【申请人类型】企业 【申请人地址】400060重庆市南岸区南坪花园路14号 【申请人地区】中国 【申请人城市】重庆市 【申请人区县】南岸区 【申请号】CN200410092462.7 【申请日】2004-12-24 【申请年份】2004 【公开公告号】CN100369228C 【公开公告日】2008-02-13 【公开公告年份】2008 【授权公告号】CN100369228C 【授权公告日】2008-02-13 【授权公告年份】2008.0 【IPC分类号】H01L21/66 【发明人】冯建 【主权项内容】1.一种硅键合片界面缺陷的检测方法，其特征有在于：该方法为 (1)以振荡频率在1MHz以上的兆声波激活电阻值14MΩ.cm以上的去离 子水，形成兆声去离子水波； (2)以所述的兆声去离子水波扫射硅键合片表面； (3)在聚光灯和显微镜下检查经兆声去离子水波扫射过的硅键合片，确定 是否存在缺陷和缺陷的种类。。微信 【当前权利人】中国电子科技集团公司第二十四研究所 【当前专利权人地址】重庆市南岸区南坪花园路14号 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】4.0
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