【摘要】本实用新型公开了一种多方向启闭门，包括门框，其内安装四条相互垂直的门边，并且分为两段，中间由弹簧连接，门边安装四个横杆，拉动把手可以改变横杆位置，并设计了门框抗干扰机构。本实用新型巧妙设计了门的结构，可以在八个方向打开门，并合理设计
【摘要】 本发明提供了一种具有高磁电阻效应的磁性隧道结及其制备方法。磁性隧道结由底电极层、反铁磁层、钴铁合金、绝缘层、金属钌层、顶电极层组成。本发明采用二氧化硅基片，通过等离子体溅射或磁控溅射、分子束外延生长手段制备成磁性隧道结。本发明的优点在于：巧妙的利用金属钌层和绝缘层的组合，大幅度地提高隧道结在室温下的磁电阻效应。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100083北京市海淀区学院路30号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200410009937.1 【申请日】2004-12-02 【申请年份】2004 【公开公告号】CN100438115C 【公开公告日】2008-11-26 【公开公告年份】2008 【授权公告号】CN100438115C 【授权公告日】2008-11-26 【授权公告年份】2008.0 【IPC分类号】H01L43/08; H01L43/12; G11C11/15 【发明人】姜勇; 于广华; 王燕斌 【主权项内容】1、一种具有高磁电阻效应的磁性隧道结，其特征在于：由底电极层、反 铁磁层、钴铁合金、绝缘层、金属钌层、顶电极层7层金属膜组成；具体结 构为： 隧道结的最底层为1～20纳米厚的金属铜，称为底电极层； 从底往上第二层为10～20纳米厚的反铁磁的铱锰合金层； 从底往上第三层为铁磁性的钴铁合金，厚度为1～10纳米； 从底往上第四层为绝缘层三氧化二铝，厚度为1～2纳米，为耦合层； 从底往上第五层为铁磁性的钴铁合金，厚度为1～10纳米； 从底往上第六层为一层金属钌层，厚度为0.4～1纳米； 从底往上第七层为1～20纳米的金属铜，为顶电极层。 【当前权利人】北京科技大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区学院路30号 【统一社会信用代码】121000004000022245 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0
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